DC-DC降壓轉(zhuǎn)換器芯片效率測(cè)試的研究和設(shè)計(jì).pdf

1、DC-DC降壓轉(zhuǎn)換器廣泛應(yīng)用于工業(yè)、消費(fèi)等各個(gè)領(lǐng)域，其中轉(zhuǎn)換效率是衡量轉(zhuǎn)換器好壞的最重要的參數(shù)之一。
　　轉(zhuǎn)換器芯片的轉(zhuǎn)換效率受產(chǎn)品設(shè)計(jì)和制造環(huán)節(jié)中多種因素條件共同影響，因而針對(duì)于具有新式設(shè)計(jì)架構(gòu)、BCD工藝和VDMOS集成封裝的新式轉(zhuǎn)換器，本文提出了適用于轉(zhuǎn)換效率計(jì)算的數(shù)學(xué)模型。研究發(fā)現(xiàn)效率值受多種損耗共同影響，如傳導(dǎo)損耗、開關(guān)損耗、晶體管柵極損耗等，每種損耗除了受轉(zhuǎn)換器控制端和功率晶體管自身?xiàng)l件影響外，還與產(chǎn)品的封裝形式、集成

2、設(shè)計(jì)方式，寄生參數(shù)，溫度等因素密切相關(guān)。模型給出了各種類型損耗所涉及的物理因素，以及這些因素與功率損耗之間的數(shù)學(xué)關(guān)系，并通過(guò)實(shí)際芯片的驗(yàn)證發(fā)現(xiàn)實(shí)際效率值與模型仿真值之間偏差小于2％，因此模型可以很好的模擬實(shí)際產(chǎn)品的損耗和效率，為設(shè)計(jì)并控制產(chǎn)品效率以及檢測(cè)實(shí)際產(chǎn)品效率提供了理論依據(jù)。
　　為了在實(shí)際生產(chǎn)過(guò)程中保證產(chǎn)品的最終轉(zhuǎn)換效率保持在目標(biāo)范圍內(nèi)，需要設(shè)計(jì)相關(guān)系列測(cè)試，這對(duì)于產(chǎn)品應(yīng)用具有重要意義。確定了轉(zhuǎn)換效率模型后，本文對(duì)如下影響

3、效率的幾種主要類型損耗進(jìn)行了詳細(xì)的分析并提出了相應(yīng)的測(cè)試設(shè)計(jì)方案。該測(cè)試方案主要包括了對(duì)以下類型損耗及相關(guān)參數(shù)的測(cè)試：
　　1.控制器的靜態(tài)損耗
　　2.傳導(dǎo)損耗（功率晶體管的導(dǎo)通電阻）
　　3.開關(guān)損耗（驅(qū)動(dòng)電阻，驅(qū)動(dòng)電壓，功率晶體管的柵極電阻、輸入電容等）
　　4.柵極損耗（功率晶體管的柵極電荷）
　　5.死區(qū)損耗（功率晶體管的死區(qū)時(shí)間、體二極管正向?qū)妷海?br>　　6.反向恢復(fù)損耗（功率晶體管的反