電沉積二氧化硅薄膜的硅烷修飾及其在有機(jī)涂層體系中的應(yīng)用.pdf

1、浙江大學(xué)碩士學(xué)位論文電沉積二氧化硅薄膜的硅烷修飾及其在有機(jī)涂層體系中的應(yīng)用⑧論文作者簽名：么小寒指導(dǎo)教師簽名：墨國論文評閱人1——評閱人2：評閱人3：評閱人4評閱人5：答辯委員會主席：委員1：委員2：委員3：委員4委員5：答辯日期：學(xué)位論文獨創(chuàng)性聲明和版權(quán)使用授權(quán)書學(xué)位論文獨創(chuàng)性聲明和版權(quán)使用授權(quán)書浙江大學(xué)研究生學(xué)位論文獨創(chuàng)性聲明本人聲明所呈交的學(xué)位論文是本人在導(dǎo)師指導(dǎo)下進(jìn)行的研究工作及取得的研究成果。除了文中特別加以標(biāo)注和致謝的地方外

2、，論文中不包含其他人已經(jīng)發(fā)表或撰寫過的研究成果，也不包含為獲得浙江太堂或其他教育機(jī)構(gòu)的學(xué)位或證書而使用過的材料。與我一同工作的同志對本研究所做的任何貢獻(xiàn)均已在論文中作了明確的說明并表示謝意。學(xué)位論文作者簽名：么上吏簽字目期：加I牛年二月7日學(xué)位論文版權(quán)使用授權(quán)書本學(xué)位論文作者完全了解逝江太堂有權(quán)保留并向國家有關(guān)部門或機(jī)構(gòu)送交本論文的復(fù)印件和磁盤，允許論文被查閱和借閱。本人授權(quán)逝江太堂可以將學(xué)位論文的全部或部分內(nèi)容編入有關(guān)數(shù)據(jù)庫進(jìn)行檢索和