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文檔簡(jiǎn)介
1、離子鍍膜設(shè)備具有成膜速度快、所制膜層與基體結(jié)合力強(qiáng)和膜層更致密等優(yōu)點(diǎn),因此在真空鍍膜設(shè)備中應(yīng)用最為廣泛。本文旨在運(yùn)用電弧離子鍍技術(shù)來(lái)實(shí)現(xiàn)鋼領(lǐng)的低溫鍍膜,并使所鍍制膜層更加均勻、致密。
衡量鍍膜工藝優(yōu)劣的重要標(biāo)準(zhǔn)是膜層的均勻性,一是要求膜層致密,二是要求大滴液數(shù)量減少。設(shè)計(jì)出一種帶可調(diào)磁場(chǎng)、屏蔽罩和特殊水冷機(jī)構(gòu)的蒸發(fā)源,能有效提高膜層質(zhì)量。同時(shí),加裝彎管磁過(guò)濾器,使離子在電磁場(chǎng)中改變運(yùn)動(dòng)軌跡,有效地過(guò)濾掉了大滴液。并通過(guò)實(shí)驗(yàn)研究
2、,確定了設(shè)計(jì)參數(shù),設(shè)計(jì)的蒸發(fā)源不僅實(shí)現(xiàn)了低溫鍍膜,也使鍍膜層質(zhì)量明顯提高。
為了確保鋼領(lǐng)在鍍制過(guò)程中,基體的溫度不超過(guò)GCr15鋼淬火后的回火最高溫度——200℃,通過(guò)對(duì)各個(gè)發(fā)熱源產(chǎn)熱量及真空室熱源分布等的計(jì)算分析,采用水直接噴淋蒸發(fā)源與水套直冷真空室的結(jié)構(gòu),實(shí)現(xiàn)了正常連續(xù)鍍膜工藝過(guò)程,鍍件基體溫度均勻控制的新低——170℃,確保了鋼領(lǐng)低溫電弧離子鍍膜工藝的實(shí)施。
依據(jù)真空設(shè)備設(shè)計(jì)準(zhǔn)則和鍍制鋼領(lǐng)工藝要求,借助于Ans
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