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文檔簡介
1、薄膜制備技術(shù)在MEMS工藝設(shè)計中占有非常重要的位置。由于等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PECVD)沉積速度快，能對非平面形貌產(chǎn)生良好的覆蓋和填充，沉積溫度低，這些優(yōu)點(diǎn)使得目前市場上主要使用PECVD技術(shù)來沉積薄膜。但是發(fā)生在PECVD系統(tǒng)中的反應(yīng)與作用非常復(fù)雜，不容易預(yù)測，因此實(shí)現(xiàn)該工藝的模擬對MEMS設(shè)計與制造有著重要意義。本文以PECVD為研究對象，建立了以元胞自動機(jī)為基礎(chǔ)的三維工藝仿真模型，應(yīng)用遺傳算法對該模型進(jìn)行優(yōu)化，并應(yīng)用CUDA
2、并行計算技術(shù)實(shí)現(xiàn)仿真算法的并行加速。主要內(nèi)容如下:
首先，根據(jù)PECVD工藝模型，通過元胞自動機(jī)算法建立PECVD三維仿真模型，實(shí)現(xiàn)對PECVD工藝的仿真。
其次，由于三維仿真系統(tǒng)運(yùn)行速度緩慢，本文將CUDA并行算法加入到三維仿真程序中，將串行程序變?yōu)椴⑿谐绦驅(qū)崿F(xiàn)了仿真系統(tǒng)的加速。
第三，為了使仿真程序結(jié)果與實(shí)驗(yàn)結(jié)果接近，本文采用了遺傳算法來優(yōu)化仿真系統(tǒng)的參數(shù)。優(yōu)化系統(tǒng)將實(shí)驗(yàn)測得的不同位置的薄膜厚度作為優(yōu)化
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