基于電光晶體測量高功率微波的技術(shù)研究.pdf

1、高功率微波由于其在軍事、工業(yè)、科學(xué)研究方面的需求向著更高頻率、更高能量迅速發(fā)展。高功率微波的測量是研究高功率微波的一個(gè)重要手段，電光晶體測量法由于其可測頻率高、測量頻帶寬、功率容量大、空間靈敏度高、干擾小而備受關(guān)注?？紤]到傳統(tǒng)的電光晶體測量法調(diào)節(jié)復(fù)雜、穩(wěn)定性差等缺點(diǎn)，提出了一種基于電光晶體的全光纖高功率微波光學(xué)測量系統(tǒng)，并對該系統(tǒng)進(jìn)行了詳細(xì)的理論和實(shí)驗(yàn)研究，具體研究內(nèi)容如下：
　　1、分析了電光晶體測量法的原理，分析得到適合測量高

2、功率微波電場的晶系種類，對不同晶系電光晶體測量電場的方法進(jìn)行了理論分析，歸納總結(jié)了常用的五種電光晶體探頭結(jié)構(gòu)，給出針對天線輻射系統(tǒng)、同軸線波導(dǎo)、矩形波導(dǎo)的微波測量方法。
　　2、運(yùn)用光學(xué)軟件結(jié)合物理原理分析了不同參數(shù)對電光晶體探頭性能的影響，分析了包括晶體厚度、晶體與光纖的耦合間隙、激光束入射角度等在內(nèi)的參數(shù)。
　　3、設(shè)計(jì)并制作了一套工作在1550nm波段下的全光纖測量系統(tǒng)。
　　4、設(shè)計(jì)并制作了一套漸變同軸線波導(dǎo)，

3、用于實(shí)驗(yàn)測試對象，可產(chǎn)生106 V/m量級電場。
　　5、在25MHz、680MHz、1.3GHz、9GHz頻段信號源激勵下對同軸線波導(dǎo)或矩形波導(dǎo)進(jìn)行實(shí)驗(yàn)研究，實(shí)驗(yàn)未發(fā)現(xiàn)激光信號中含有微波對電光晶體的調(diào)制信息。其原因主要是電光干涉片的光學(xué)相干度低，激光信號中包含的微波電場對電光晶體的調(diào)制信號太小，檢測噪聲大等。
　　6、實(shí)驗(yàn)完成后重新設(shè)計(jì)了干涉片厚度等參數(shù)，但由于加工周期長，未能及時(shí)完成后續(xù)實(shí)驗(yàn)研究，因此課題給出下步改進(jìn)措施