基于量子阱混雜技術(shù)的快速波長可切換V型耦合腔半導(dǎo)體激光器研究.pdf

1、電信業(yè)進(jìn)入二十一世紀(jì)之后，對網(wǎng)絡(luò)帶寬的需求還在持續(xù)增加。波分復(fù)用技術(shù)(WDM)、大范圍可調(diào)諧激光器和單片集成技術(shù)的出現(xiàn)，極大地增加了每個光纖內(nèi)傳送的數(shù)據(jù)量，同時降低了光通信器件的制作成本。在過去的幾十年中，量子阱混雜技術(shù)(QWI)被證明為一種簡單有效的實(shí)現(xiàn)單片集成的方法。而其中的KrF準(zhǔn)分子激光器量子阱混雜技術(shù)由于效果好、穩(wěn)定性好，逐漸成為了最有希望的方法之一。
　　在本文中，利用實(shí)驗(yàn)室現(xiàn)有的KrF準(zhǔn)分子激光器開發(fā)了基于紫外激光照

2、射的量子阱混雜技術(shù)。首次應(yīng)用這項技術(shù)成功制作了FP激光器和無源波導(dǎo)。測試得到的FP激光器和無源波導(dǎo)的性能甚至比量子阱混雜之前的性能更好。隨后，我們將該技術(shù)應(yīng)用到V型腔激光器中，首次實(shí)現(xiàn)了基于載流子注入的波長調(diào)諧功能。其中腔長差5％的器件可以實(shí)現(xiàn)1550nm波段100GHz間隔的32個通道的單電極調(diào)諧，同時邊模抑制比(SMSR)可以達(dá)到35dB，與熱調(diào)諧的V型腔激光器可以媲美。此外，調(diào)諧電流僅0～40mA，比熱調(diào)諧的電流(＞100mA)小