低維半導體納米材料的合成及其光解水性能的研究.pdf

1、納米半導體材料自從進入21世紀以來，再次成為了研究熱點，低維半導體納米材料，特別是半導體納米線等，在某些研究領(lǐng)域已經(jīng)取得了重大進展。納米半導體材料有獨特的光、聲、電、熱性能，在多個領(lǐng)域有潛在應用價值。
　　在本學位論文中，我們選取了多種半導體納米材料，分別考察了他們的合成，生長機理和光解水性能，并期望通過我們的研究能夠為未來半導體納米材料的研究提供一些借鑒。
　　在本文的第二章中我們以氯化鎘，硫或者硒單質(zhì)為前驅(qū)體，采用化學氣

2、相沉積法合成了包括納米線、納米帶在內(nèi)的具有多種形貌的硫化鎘硒化鎘半導體納米材料，并對其進行了形貌和結(jié)構(gòu)的表征。通過暗場透射電鏡和雙束透射電鏡的表征，我們發(fā)現(xiàn)了螺旋位錯在硫化鎘硒化鎘納米線中的存在，并推測螺旋位錯在硫化鎘硒化鎘納米線的生長中起到了重要的作用。
　　在本文的第三章中我們發(fā)展了一種新的合成硫硒化鎘樹枝狀納米線方法，以氯化鎘、硫、硒單質(zhì)為前驅(qū)體，采用化學氣相沉積法在硅片上沉積得到了硫硒化鎘的樹枝狀納米線。結(jié)構(gòu)表征表明該樹枝

3、狀納米線為完整無缺陷的單晶結(jié)構(gòu)，并且通過改變前驅(qū)體中硫和硒的比例，我們可以精確調(diào)控該樹枝狀納米線的光致發(fā)光光譜。
　　在本文的第三章中我們借鑒了前人水熱合成二氧化鈦納米線的方法，通過調(diào)控生長時間、酸度等因素篩選出了最佳的生長條件來合成二氧化鈦納米線陣列并將其應用到太陽光分解水中。此外在反應前驅(qū)體中加入四氯化錫進行反應，得到了錫摻雜的二氧化鈦納米線陣列。我們對這兩種納米線陣列的光解水性能進行了詳細的考察，發(fā)現(xiàn)摻錫氧化鈦性能的提高是由