氧化亞銅納米八面體的可控制備、生長(zhǎng)機(jī)理及光學(xué)性能的研究.pdf_第1頁(yè)
已閱讀1頁(yè),還剩48頁(yè)未讀, 繼續(xù)免費(fèi)閱讀

下載本文檔

版權(quán)說(shuō)明:本文檔由用戶提供并上傳,收益歸屬內(nèi)容提供方,若內(nèi)容存在侵權(quán),請(qǐng)進(jìn)行舉報(bào)或認(rèn)領(lǐng)

文檔簡(jiǎn)介

1、氧化亞銅(Cu2O)為低廉環(huán)保的p型半導(dǎo)體材料,其能帶寬度為2.17eV,在工農(nóng)業(yè)生產(chǎn)中都具有廣泛而重要的用途,可以用作色素、光催化劑、防腐劑、防污涂料、光電材料、鎮(zhèn)流器等。作為光電轉(zhuǎn)換的重要材料之一,納米Cu2O半導(dǎo)體薄膜已經(jīng)被廣泛地應(yīng)用于太陽(yáng)能電池等領(lǐng)域。同時(shí),Cu2O也是制備傳感器和高溫超導(dǎo)體的材料。近年來(lái),制備具有可控形貌和尺寸的Cu2P納米晶已經(jīng)成為各國(guó)研究者關(guān)注的熱點(diǎn)。
   本論文以硫酸銅為銅源,以乳酸為絡(luò)合劑,采

2、用恒電位沉積法在堿性條件下沉積制備出了形貌可控的Cu2O納米八面體;利用無(wú)電極沉積法,在相同的實(shí)驗(yàn)參數(shù)制備出分散性較好的Cu2O納米八面體,并通過(guò)掃描電鏡、透射電鏡及高分辨透射電鏡對(duì)其表面形貌及微觀結(jié)構(gòu)進(jìn)行了詳細(xì)地研究。
   通過(guò)改變實(shí)驗(yàn)參數(shù),研究了其(電位、pH值、乳酸與銅離子不同摩爾配比、反應(yīng)溫度和反應(yīng)時(shí)間等)對(duì)納米Cu2O的形貌和尺寸的影響。研究發(fā)現(xiàn),在堿性條件下,電位為-0.45-0V,溫度為20℃-80°℃,摩爾配比

3、為0.75/0.4-6/0.4時(shí),納米晶的尺寸均有變化,而在電位負(fù)于-0.5V沉積時(shí),形貌由納米顆粒變成薄膜。將導(dǎo)電基質(zhì)改為鐵片和銅片時(shí),沉積得到的形貌均為致密薄膜。不同條件下得到的納米晶均為純的Cu20,而沒(méi)有CuO及Cu等雜質(zhì)出現(xiàn)。利用紫外.可見(jiàn)光譜研究發(fā)現(xiàn),隨著粒徑減小,Cu2O納米八面體對(duì)光的吸收呈現(xiàn)藍(lán)移現(xiàn)象。
   在上述實(shí)驗(yàn)結(jié)果的基礎(chǔ)上,本論文結(jié)合雙電層吸附原理對(duì)其生長(zhǎng)機(jī)理進(jìn)行了闡述,并利用該生長(zhǎng)機(jī)理對(duì)不同反應(yīng)參數(shù)下

溫馨提示

  • 1. 本站所有資源如無(wú)特殊說(shuō)明,都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請(qǐng)下載最新的WinRAR軟件解壓。
  • 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等,如果需要附件,請(qǐng)聯(lián)系上傳者。文件的所有權(quán)益歸上傳用戶所有。
  • 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙,網(wǎng)頁(yè)內(nèi)容里面會(huì)有圖紙預(yù)覽,若沒(méi)有圖紙預(yù)覽就沒(méi)有圖紙。
  • 4. 未經(jīng)權(quán)益所有人同意不得將文件中的內(nèi)容挪作商業(yè)或盈利用途。
  • 5. 眾賞文庫(kù)僅提供信息存儲(chǔ)空間,僅對(duì)用戶上傳內(nèi)容的表現(xiàn)方式做保護(hù)處理,對(duì)用戶上傳分享的文檔內(nèi)容本身不做任何修改或編輯,并不能對(duì)任何下載內(nèi)容負(fù)責(zé)。
  • 6. 下載文件中如有侵權(quán)或不適當(dāng)內(nèi)容,請(qǐng)與我們聯(lián)系,我們立即糾正。
  • 7. 本站不保證下載資源的準(zhǔn)確性、安全性和完整性, 同時(shí)也不承擔(dān)用戶因使用這些下載資源對(duì)自己和他人造成任何形式的傷害或損失。

評(píng)論

0/150

提交評(píng)論