斜入射電磁吸波結(jié)構(gòu)設(shè)計研究.pdf

1、加強(qiáng)全向電磁波的吸收，減少目標(biāo)體被電磁波探測到的幾率，避免電磁輻射，是軍事和日常生活的重要需求。因而吸波結(jié)構(gòu)在電磁波斜入射下的性能越來越受到重視。增強(qiáng)斜入射下吸波結(jié)構(gòu)的性能，是有效控制和利用電磁場的一個重要方面。斜入射下性能良好的立體吸波結(jié)構(gòu)和超材料吸波平板，因?yàn)檎加每臻g較大或者有效頻帶狹窄，其應(yīng)用范圍被限制。磁性平板具有厚度薄、頻帶寬的特點(diǎn)，但是對其在電磁波斜入射下吸波性能的研究比較少。本文對斜入射下磁性吸波平板進(jìn)行了研究和優(yōu)化設(shè)計，

2、使磁性平板不僅能夠在斜入射下達(dá)到良好的吸收效果，并且盡量保持了寬頻帶的優(yōu)點(diǎn)，有實(shí)際應(yīng)用價值。在實(shí)驗(yàn)中，在5GHz到8.5GHz的頻段內(nèi)，本文設(shè)計的3mm厚的樣品可以在0°到45°入射角度范圍內(nèi)達(dá)到約90％的吸收率。
　　本文主要內(nèi)容如下：
　　1、對磁性平板在斜入射下的性能進(jìn)行了理論研究，提出了其在斜入射下的吸波性能極限關(guān)系。首先基于傳輸線理論，分析了在各入射角度下磁性平板與自由空間分界面的輸入阻抗。分析表明，磁性平板在斜入

3、射下不能同時滿足兩種極化與自由空間的完美匹配。為了克服這一矛盾，基于兩種極化下阻抗匹配的折中，本文提出了磁性平板能夠在電磁波斜入射下達(dá)到的最優(yōu)性能及達(dá)到該性能需滿足的條件。
　　2、探索磁性平板斜入射的優(yōu)化方法，獲得了極化不敏感、寬帶吸波性能的設(shè)計思路。針對磁性平板電磁參數(shù)難以精確控制的實(shí)際情況，利用頻率選擇表面和電介質(zhì)層加載，優(yōu)化磁性平板在斜入射下的性能。并且討論了頻率選擇表面對磁性平板與自由空間分界面的輸入阻抗的調(diào)整作用及該方