Al-CuO納米線復(fù)合含能材料的制備表征及性能研究.pdf

1、本文在Si基底上利用電子束蒸發(fā)沉積的Cu膜為樣品,通過熱退火制備CuO納米線。通過FE-SEM表征手段研究電子束流的大小、Cu膜厚度、熱退火時(shí)間和熱退火溫度對(duì)納米線生長的影響以及對(duì)納米線長度、直徑和密度的影響。結(jié)果表明只有當(dāng)熱退火溫度為400℃2時(shí),Cu膜的表面覆蓋有大面積的納米線,而納米線的直徑和密度卻可以通過電子束流來調(diào)節(jié),隨著電子束流的增大而增大。而熱退火時(shí)間只對(duì)納米線的長度和密度有影響,卻對(duì)納米線的直徑無影響。適合納米線生長的最

2、佳束流、最佳膜厚、最佳熱退火溫度和最佳熱退火時(shí)間分別為0.15A,1μm,400℃和4h。
　　 通過EDS、XRD、TEM。和SAED對(duì)納米線進(jìn)行結(jié)構(gòu)表征,結(jié)果表明,EDS譜圖只能證明納米線中只含有Cu和O兩種元素;XRD分析表明熱退火后的Cu膜表面只含有Cu2O和CuO兩種物質(zhì);SAED譜圖表明納米線為單晶,而且屬于單斜晶系的CuO。CuO納米線的生長機(jī)理既不是V-L-S,也不是V-S,是由于壓應(yīng)力的積累和釋放引起的。

3、>　　 利用磁控濺射在CuO納米線上沉積Al膜形成具有核.殼結(jié)構(gòu)的CuO納米線/Al復(fù)合納米含能材料。通過DSC分析曲線得知,整個(gè)反應(yīng)只有一個(gè)放熱峰,而且起始反應(yīng)溫度遠(yuǎn)比Al的熔化溫度低。利用升降法測其Al/CuO納米線復(fù)合含能材料的激光感度,得到50％起爆能量為33mJ,50%起爆能量密度為42.04rnJ·mm-2,并將此納米含能材料制備為點(diǎn)火橋膜,測其在恒壓為80V的觸發(fā)下,起爆延遲時(shí)間為12.6μs,起爆持續(xù)時(shí)間為1.5ms。