具有低自腐蝕電位的多主元合金設(shè)計、制備與性能研究.pdf

1、本文依據(jù)多主元合金的成分設(shè)計原則，設(shè)計了AlMgZnSnCuMnNix，AlMgZnSnCuInx和AlMgZnSnInCux三種多主元合金體系，通過中頻感應(yīng)熔煉和模鑄方法制備了合金鑄錠，進行了極化曲線電化學(xué)性能的測試，并采用XRD進行了結(jié)構(gòu)測定，采用SEM觀察顯微組織，采用EDS能譜進行了微區(qū)成分分析。
　　在研究Ni對AlMgZnSnCuMnNix多主元合金的電化學(xué)性能影響的實驗中發(fā)現(xiàn)，Ni的加入使得AlMgZnSnCuMnN

2、ix系列合金的自腐蝕電位和自腐蝕電流密度變化很大，自腐蝕電位從-1.42V增加到-1.02V，自腐蝕電流密度從2.41×10-4 A/cm2下降到1.13×10-5A/cm2。Ni的加入明顯改善AlMgZnSnCuMnNix系列合金的組織和電化學(xué)性能。XRD測試表明AlMgZnSnCuMnNix系列合金晶體結(jié)構(gòu)復(fù)雜，并未形成簡單的固溶體結(jié)構(gòu)，而是形成了許多金屬間化合物，SEM、EDS表明Ni加入后主要和Al形成Al、Ni金屬化合物。

3、r>　　在研究In對AlMgZnSnCuInx多主元合金的電化學(xué)性能影響的實驗中發(fā)現(xiàn)，該類合金在3.5％NaCl溶液中具有低的自腐蝕電位和低的自腐蝕電流密度。自腐蝕電位位于-1.37V到-1.54V之間，自腐蝕電流密度在10-5-10-6 A/cm2之間。In的加入明顯改善了AlMgZnSnCuInx系列合金的耐腐蝕性能。XRD測試表明AlMgZnSnCuInx系列合金晶體結(jié)構(gòu)復(fù)雜，并未形成簡單的固溶體結(jié)構(gòu)，而是形成了許多金屬間化合物，

4、SEM、EDS表明In加入主要和Sn形成In、Sn金屬化合物。
　　在研究Cu對AlMgZnSnInCux多主元合金的電化學(xué)性能影響的實驗中發(fā)現(xiàn)，該合金在3.5％NaCl溶液中具有低的自腐蝕電位和較低的自腐蝕電流密度。自腐蝕電位在-1.43V到-1.53V之間。Cu的加入使AlMgZnSnInCux多主元合金的自腐蝕電位降低，但自腐蝕電流密度變化不大。通過XRD測試表明AlMgZnSnInCux系列合金晶體結(jié)構(gòu)復(fù)雜，并未形成簡單的