MEMS中高阻硅基底微小結構制造誤差的反演規(guī)律研究.pdf

1、微小結構加工技術制造的微帶貼片天線,具有剖面低、體積小、重量輕、高度集成、并且能與載體共形。其作為對彈藥的智能化改造的通信節(jié)點,可提高彈藥打擊目標的精確度,基于高阻硅基底的微小結構貼片天線損耗小,容易組陣,很大程度提高了天線的功率、增益等。目前,微小結構內部尺寸的測量還屬于瓶頸技術。為解決微小結構天線尺寸測量難的問題,本文探索了基于高阻硅基底C/X/Ku波段微小結構陣列式微帶貼片天線的結構尺寸與電性能之間的反演規(guī)律,主要工作如下:

2、>　　1.C/X/Ku波段天線的基本設計與仿真。本課題主要以三個不同波段的微帶天線作為研究對象,在進行反演規(guī)律分析前先要通過設計仿真,將三個不同波段天線的電性能調整到最優(yōu)點。
　　2.C/X/Ku波段天線結構尺寸誤差與電性能之間反演規(guī)律的研究。在天線加工制造過程中,不可避免的產(chǎn)生加工尺寸誤差,這些誤差會影響到天線的電性能如:輻射增益、電壓駐波比、回波損耗系數(shù)、輻射效率等。采用仿真軟件,模擬不同波段天線的電性能和幾何尺寸變化之間的對

3、應關系。
　　3.確定天線關鍵制造誤差尺寸和誤差允許的最大值。通過電性能和天線幾何尺寸之間的關系,找出導致天線電性能變化最敏感甚至失效的關鍵制造誤差尺寸和關鍵誤差尺寸允許誤差的大小,建立關鍵誤差尺寸和天線電性能之間的函數(shù)關系式。并且將關鍵誤差尺寸的值在加工過程中提供誤差參考數(shù)據(jù)。
　　4.MEMS加工工藝的研究。參照反演規(guī)律結論,深入研究了MEMS中的刻蝕工藝、濺射與電鍍復合工藝、高阻硅切割工藝、微小結構的封裝工藝,突破了工