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文檔簡介
1、隨著 IGBT、IGCT等新型電力半導體器件的應用日益廣泛,與之反并聯(lián)的快速軟恢復二極管(Fast and soft recovery diode,簡稱FSRD)也成為研究的重點。為了提高電力電子系統(tǒng)的可靠性及使用壽命,對FSRD的性能要求也越來越高。因此,研究高壓快速軟恢復二極管對有重要意義。
本文以3.3kV快速軟恢復二極管為例,利用ISE-TCAD模擬軟件研究了FSRD新結構的反向恢復工作機理,分析了關鍵結構參數(shù)對各項特
2、性的影響,并提取了最優(yōu)化結構參數(shù)。主要研究內(nèi)容如下:
第一,簡要介紹了快速軟恢復二極管(FSRD)的結構特點、工作機理及特性?;趐+pn-nn+結構,簡述了FSRD的阻斷、導通及正向恢復和反向恢復過程。
第二,研究了具有隱埋p+區(qū)的FSRD新結構的反向恢復機理,分析了反向恢復過程中器件內(nèi)部少數(shù)載流子濃度分布及電場強度分布隨時間的變化,討論了隱埋 p+區(qū)對反向恢復特性的影響。
第三,研究了不同結構參數(shù)對FS
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