無(wú)源超高頻射頻識(shí)別標(biāo)簽芯片射頻模擬前端設(shè)計(jì).pdf

1、隨著物聯(lián)網(wǎng)的發(fā)展，射頻識(shí)別(RFID)技術(shù)因其非接觸性、體積小和存儲(chǔ)容量大等特點(diǎn)，得到了越來(lái)越多的發(fā)展和應(yīng)用。隨著各種新技術(shù)的應(yīng)用，超高頻射頻識(shí)別（UHF RFID）標(biāo)簽芯片的研究成為射頻識(shí)別技術(shù)研究領(lǐng)域的熱點(diǎn)之一。
　　本文對(duì)射頻識(shí)別系統(tǒng)的工作原理和物理基礎(chǔ)做出了論述，并結(jié)合RFID的協(xié)議EPCTMC1G2標(biāo)準(zhǔn)，對(duì)無(wú)源UHF RFID標(biāo)簽芯片的模擬射頻前端進(jìn)行了研究和設(shè)計(jì)，對(duì)各不同電路模塊，如整流器、LDO、時(shí)鐘電路、上電復(fù)位電

2、路和ASK解調(diào)電路等進(jìn)行了研究和分析。
　　在射頻前端中對(duì)倍壓整流電路進(jìn)行了研究和設(shè)計(jì)。對(duì)倍壓整流電路中的二極管連接方式的MOS管，本文應(yīng)用了一個(gè)新的連接方式，降低了等效二極管的閾值電壓和泄漏電流，從而提高了本文的倍壓整流電路的整流效率。為其它電路模塊性能指標(biāo)的確定提供了參考。
　　在模擬前端電路中，本文選取了串聯(lián)的穩(wěn)壓電路LDO，傳統(tǒng)的LDO需要在輸出端外接大電容來(lái)保證系統(tǒng)的穩(wěn)定性，為了減小芯片面積、降低標(biāo)簽的成本，本文在