太赫茲波183GHz五次倍頻技術(shù)研究.pdf

1、近年來(lái)，太赫茲技術(shù)在國(guó)際上掀起了一股研究熱潮，作為太赫茲相關(guān)技術(shù)中重要組成部分的太赫茲源引起了人們的廣泛關(guān)注，太赫茲源的產(chǎn)生由光學(xué)、等離子體、電子學(xué)三大類(lèi)技術(shù)來(lái)實(shí)現(xiàn)。
　　本文通過(guò)基于電子學(xué)的固態(tài)半導(dǎo)體來(lái)展開(kāi)中心頻率為183GHz的G波段太赫茲源的研究，采用目前技術(shù)已十分成熟的毫米波信號(hào)Ka頻段作為信號(hào)源，通過(guò)肖特基平面二極管對(duì)反向并聯(lián)的方式實(shí)現(xiàn)五次諧波倍頻，目標(biāo)是為課題組太赫茲相關(guān)諧波混頻器的測(cè)試提供射頻信號(hào)，因此所研制的五倍頻

2、器主要考慮寬帶性能。
　　本文在理論研究與 ADS、HFSS等仿真軟件相結(jié)合的基礎(chǔ)上，分別采用一對(duì)二極管反向并聯(lián)、兩對(duì)二極管反向并聯(lián)兩種方案對(duì)183GHz五倍頻器進(jìn)行仿真優(yōu)化，并加工測(cè)試。所選用的肖特基二極管為UMS公司的DBES105A。測(cè)試結(jié)果為：采用一對(duì)二極管反向并聯(lián)的G波段五倍頻器，在27~30.5GHz輸入頻段內(nèi)，五倍頻輸出功率在5μW以上，最佳匹配點(diǎn)在145GHz處，輸出功率為15μW，在130~200GHz頻率范圍內(nèi)

3、，均有倍頻輸出；采用兩對(duì)二極管反向并聯(lián)的G波段五倍頻器，在27~34GHz輸入頻段內(nèi)，五倍頻輸出功率在1μW以上，最佳匹配點(diǎn)在150GHz處，輸出功率為13.1μW，在130~200GHz頻段內(nèi)，均有輸出功率。
　　國(guó)外相關(guān)文獻(xiàn)報(bào)道的太赫茲五倍頻器主要是采用HBV來(lái)實(shí)現(xiàn)。國(guó)內(nèi)由于加工工藝等因素限制，對(duì)太赫茲五倍頻器的研究甚少，目前未見(jiàn)諸相關(guān)文獻(xiàn)報(bào)道，本文所研究的五倍頻器作為今后相關(guān)太赫茲五倍頻研究的探索，可為太赫茲五倍頻電路的研制