2023年全國碩士研究生考試考研英語一試題真題（含答案詳解+作文范文）_第1頁
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文檔簡介

1、當(dāng)In含量為17.6％時,InAlN晶格可與GaN晶格實(shí)現(xiàn)晶格匹配無應(yīng)力狀態(tài),因此可避免由于晶格失配產(chǎn)生的一系列問題。但是由于InN和AlN兩種材料的生長特性差異較大,使得高質(zhì)量高In含量InAlN材料的生長成為目前國際性難題。
　　PMOCVD(脈沖金屬有機(jī)物化學(xué)氣相淀積)是西安電子科技大學(xué)提出的生長高質(zhì)量高In含量InAlN材料的一種新工藝方法,其工藝特征是反應(yīng)源脈沖分時通入反應(yīng)室,能很好的控制InAlN的生長,其研究報道受到

2、廣泛關(guān)注。
　　本文采用流體動力學(xué)模擬軟件 FLUENT,對PMOCVD生長InAlN的流體動力學(xué)行為進(jìn)行系統(tǒng)的仿真分析研究。根據(jù)西安電子科技大學(xué)寬緊帶半導(dǎo)體實(shí)驗(yàn)室自制的120-MOCVD反應(yīng)室結(jié)構(gòu),建立了反應(yīng)室的 FLUENT仿真模型;通過FLUENT軟件的用戶自定義模塊(UDF),用 C語言編寫了 PMOCVD的脈沖文件;采用FLUENT軟件,對常規(guī)MOCVD的連續(xù)流量和PMOCVD的脈沖流量的流體動力學(xué)行為進(jìn)行對比分析。仿真

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