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1、近年來(lái),半導(dǎo)體晶體直徑朝著大型化的方向發(fā)展,晶體的直徑逐漸從6英寸發(fā)展到12英寸。晶體直徑的大型化發(fā)展成為當(dāng)前的主流趨勢(shì)。生長(zhǎng)出質(zhì)量好、尺寸大的單晶硅需要非常穩(wěn)定的運(yùn)動(dòng)和對(duì)稱的熱場(chǎng),所以,CZ生長(zhǎng)法中單晶爐提拉頭、軟軸、坩堝軸三者的旋轉(zhuǎn)中心重合與否對(duì)晶體的品質(zhì)有著至關(guān)重要的作用。因此,研究單晶爐的對(duì)中檢測(cè)問(wèn)題具有十分重要的意義。
通過(guò)對(duì)目前現(xiàn)有的單晶爐對(duì)中檢測(cè)方法仔細(xì)研究后,本文以前人的對(duì)中檢測(cè)方法為基礎(chǔ)進(jìn)行深入研究,重新優(yōu)化
2、設(shè)計(jì)了硬件,并且在單晶爐內(nèi)完成了對(duì)提拉軸運(yùn)動(dòng)軌跡估計(jì)的測(cè)試。方案中首先提取出激光的運(yùn)動(dòng)軌跡,然后采用了二級(jí)重心法進(jìn)行定位,即分別采用重心法定位激光光斑的中心位置和運(yùn)動(dòng)軌跡的中心位置。針對(duì)對(duì)中系統(tǒng)實(shí)時(shí)檢測(cè)這一要求,搭建了一套高速嵌入式圖像采集與處理平臺(tái),以點(diǎn)激光和面陣圖像傳感器作為檢測(cè)元件,完成圖像的實(shí)時(shí)采集、傳輸、處理和終端顯示。為了驗(yàn)證上述算法的可行性,需要獲得連續(xù)的圖像數(shù)據(jù)。因此,搭建了實(shí)驗(yàn)裝置進(jìn)行現(xiàn)場(chǎng)測(cè)試。
在測(cè)試中,嘗
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