OLED中電子注入的增強(qiáng)及熒光客體對(duì)載流子傳輸?shù)挠绊?pdf

1、近年來，有機(jī)電致發(fā)光器件(OLED)因其在顯示和照明領(lǐng)域所具有的發(fā)展?jié)摿?，而越來越受到人們的關(guān)注。獲得低壓、高效的OLED是人們所追求的目標(biāo)。而增強(qiáng)載流子的注入與傳輸能力是實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo)的關(guān)鍵。本論文主要研究了增強(qiáng)OLED器件中電子的注入及器件中熒光客體材料對(duì)載流子在發(fā)光層中傳輸?shù)挠绊?。涉及的?nèi)容如下:
　　1.利用將薄鋁層插入碳酸銫注入層的方法來提高OLED中電子的注入能力。為此制備了兩組器件。對(duì)于以Alq3為發(fā)光層和電子傳輸層的

2、器件，將不同厚度的薄鋁層插入碳酸銫電子注入層中，當(dāng)其厚度為0.4nm時(shí)，器件獲得了6.5cd/A的最大電流效率。然而當(dāng)其厚度為0.8nm時(shí)，器件具有最強(qiáng)的電子注入能力。為了驗(yàn)證這種方法的廣適性，制備了另一組藍(lán)光器件。將0.8nm的薄鋁層插入碳酸銫注入層后，藍(lán)光器件的最大電流效率由4.51cd/A增大到4.84cd/A。實(shí)驗(yàn)結(jié)果證明將合適厚度的薄鋁層插入碳酸銫注入層中，可以降低電子注入勢(shì)壘，增強(qiáng)電子注入，改善器件的性能。這些可以歸因于熱蒸

3、發(fā)的碳酸銫可以分解生成銫的氧化物，鋁與銫的氧化物反應(yīng)生成Al-O-Cs化合物，Al-O-Cs化合物可以降低陰極的功函數(shù)，通過控制薄鋁層的厚度可以控制Al-O-Cs的數(shù)量，進(jìn)而調(diào)節(jié)器件的電子注入能力。最后，還研究了碳酸銫/Alq3多層重復(fù)結(jié)構(gòu)在電子注入及傳輸方面的可行性，發(fā)現(xiàn)其電子注入及傳輸能力并無明顯的提高，且分析了其中的原因。
　　2.通過在電子傳輸層與LiF/Al陰極之間插入TCNQ電子緩沖層，藍(lán)光OLED的性能得到了改善。經(jīng)

4、過優(yōu)化TCNQ的厚度后，發(fā)現(xiàn)當(dāng)其厚度為6nm時(shí)，器件可以獲得最佳的性能。與不含有TCNQ的器件相比，含有6nm的TCNQ的器件的最大亮度、電流效率、功率效率和半壽命分別增加了7.98％、9％、22％、13.6％。器件性能的改善歸因于TCNQ電子緩沖層可以促進(jìn)電子注入能力的增強(qiáng)，提高器件的穩(wěn)定性。由于TCNQ具有較高的遷移率和穩(wěn)定性，高的遷移率可以將更多的電子注入到發(fā)光層中，使空穴與電子的復(fù)合幾率增大，從而提高器件的發(fā)光效率。同時(shí)，高穩(wěn)定

5、性可以抑制電子傳輸層的結(jié)晶化，使器件更加穩(wěn)定，且壽命得到延長(zhǎng)。
　　3.制備了以CBP為主體的藍(lán)色熒光p-i-n同質(zhì)結(jié)OLED。在這些器件中，將兩種不同的藍(lán)色熒光客體材料摻入主體CBP中，來研究由熒光客體所造成的陷阱中心與散射中心對(duì)器件的載流子傳輸?shù)挠绊?。由?shí)驗(yàn)結(jié)果得知在低電壓下，低的散射中心能級(jí)可以強(qiáng)烈地影響載流子的傳輸，而深的陷阱中心對(duì)載流子的傳輸影響較小;在高電壓下，低的散射中心對(duì)載流子的傳輸影響較小，深的陷阱中心則對(duì)載流子