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1、單晶硅表面制絨過(guò)程是太陽(yáng)能電池制備的一個(gè)重要處理過(guò)程。目前主要通過(guò)堿性腐蝕液對(duì)單晶硅片進(jìn)行刻蝕,使得硅表面形成金字塔結(jié)構(gòu)的絨面。本文通過(guò)薛定諤方程分析了表面形貌和表面缺陷態(tài)密度之間的關(guān)系,基于衰減的電子波函數(shù)基礎(chǔ)上,推導(dǎo)出在一維二維和三維方向上晶體發(fā)生中斷的表面的能帶和禁帶寬度與理想晶體能帶和禁帶寬度之間的關(guān)系,并通過(guò)表面形貌的調(diào)控將單晶硅表面金字塔結(jié)構(gòu)尖銳的塔尖和棱邊過(guò)渡到有圓弧的頂角和棱邊,將實(shí)驗(yàn)與理論分析相結(jié)合并對(duì)實(shí)驗(yàn)作出合理的解
2、釋。另外在傳統(tǒng)堿液刻蝕單晶硅表面的基礎(chǔ)上,本文研究了一元醇(乙醇),二元醇(乙二醇,丙二醇),乙醇鈉等醇類添加劑對(duì)單晶硅表面形貌的影響,并測(cè)試其反射率,發(fā)現(xiàn)在普通堿液中加入二元醇比加入一元醇具有更高的刻蝕速率,絨面金字塔成核較快。通過(guò)對(duì)絨面的分析,發(fā)現(xiàn)表面金字塔尺寸比較小,尺寸約為1~3μm且表面金字塔大小分布較均勻的絨面表面反射率較低,最低反射率可以降到10.13%,發(fā)現(xiàn)乙醇和乙二醇混合溶液對(duì)表面形貌具有較好的調(diào)控作用。
實(shí)
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