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1、本研究利用組成型啟動(dòng)子ptet,汞誘導(dǎo)型啟動(dòng)子pmerR,表面展示冰晶核蛋白INP,鎘的金屬硫蛋白Mt3α,汞的金屬結(jié)合蛋白MerR,以及作為熒光標(biāo)記的加強(qiáng)型綠色熒光蛋白EGFP等,經(jīng)基因工程技術(shù)構(gòu)建融合基因ptet-inp-mt3α-egfp,ptet-inp-merR-egfp,及pmerR-inp-merR-egfp。
宿主細(xì)菌為惡臭假單胞菌X4,腐生型革蘭氏陰性細(xì)菌,對(duì)環(huán)境的抗逆性很強(qiáng),能夠耐受并吸附汞和鎘等重金屬
2、。將構(gòu)建的融合基因插入到X4基因組,獲得了3株工程菌株:
X4-1: X4/(ptet-INP-Mt3α-EGFP)(組成型表達(dá),吸附鎘)
X4-2: X4/(ptet-INP-MerR-EGFP)(組成型表達(dá),吸附汞)
X4-3:X4/(pmerR-INP-MerR-EGFP)(誘導(dǎo)性表達(dá),汞檢測(cè)和吸附)
通過(guò)在熒光顯微鏡下觀察菌體驗(yàn)證了融合基因的正常表達(dá),Western Blo
3、tting技術(shù)驗(yàn)證了融合蛋白展示到細(xì)胞膜表面。
隨著細(xì)菌X4-1、X4-2的生長(zhǎng),融合蛋白的表達(dá)量也相應(yīng)的增加,說(shuō)明組成型啟動(dòng)子ptet穩(wěn)定性好。X4-3在2μM汞離子條件下誘導(dǎo)2h就能達(dá)到較高的熒光值,而且pmerR啟動(dòng)子對(duì)汞離子的檢測(cè)范圍為10nM~100μM。啟動(dòng)子對(duì)汞離子的特異性非常強(qiáng),在Cu2+、Cd2+、Zn2+濃度為1~10μM時(shí)有極其微弱的誘導(dǎo)熒光。
工程菌株對(duì)重金屬抗性和吸附能力的分析顯示,
4、菌株X4-1相比于原始X4對(duì)鎘離子耐受性明顯提高,對(duì)鎘離子的最大吸附量為11.2mg/g,是原始X4鎘吸附能力的3.1倍。菌株X4-2、X4-3相比于X4對(duì)汞離子耐受性明顯提高,X4-2菌株對(duì)汞離子的最大吸附量為8.29mg/g,X4-3菌株的最大吸附量為7.75mg/g,分別是原始X4汞吸附能力的2.3倍,2.2倍。
通過(guò)基因工程技術(shù)改造工程菌X4能夠明顯提高它對(duì)重金屬的吸附性能,可應(yīng)用到對(duì)土壤、水體進(jìn)行原位檢測(cè)和修復(fù)。
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