基于FPGA的NAND FLASH壞塊管理模塊研究.pdf

1、踏入二十一世紀(jì),伴隨著微電子技術(shù)的高速發(fā)展,高速大容量的存儲(chǔ)技術(shù)取得了非常大的進(jìn)步。NAND FLASH memory(快閃記憶體)以容量大、存儲(chǔ)速度快、可擦寫次數(shù)多等優(yōu)點(diǎn)得到了迅猛的發(fā)展,已被廣泛應(yīng)用在嵌入式系統(tǒng)和手機(jī)等移動(dòng)手提設(shè)備中。
　　本文首先討論了作為快速記憶閃存的兩種主流實(shí)現(xiàn)技術(shù)以及兩種主流結(jié)構(gòu);并按照時(shí)序規(guī)范解析了不同廠家NAND型器件一些基本通用的存取操作方式。本文采用verilog語言設(shè)計(jì)了NAND FLASH控

2、制器,并針對(duì)讀過程中可能出現(xiàn)位反轉(zhuǎn)現(xiàn)象在控制器的設(shè)計(jì)過程中加入了一種ECC算法的硬件實(shí)現(xiàn),這使得在數(shù)據(jù)讀寫的過程中對(duì)數(shù)據(jù)包進(jìn)行實(shí)時(shí)高速的錯(cuò)誤校驗(yàn)和糾正,在保持存儲(chǔ)器件效率的前提下,為提高存儲(chǔ)器使用可靠性提供了硬件上保障。其次針對(duì)NAND FLASH在生產(chǎn)過程中或使用過程中可能存在壞塊的問題;本論文在已有算法基礎(chǔ)上提出了一種在FPGA內(nèi)部建立RAM并使RAM地址和塊地址相對(duì)應(yīng)的方法來管理壞塊,與其它方法相比具有占用RAM資源少、成本低以及