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文檔簡介
1、以Al/Au合金薄膜作為催化劑,基于固—液—固(SLS)生長機(jī)制,在單晶Si(100)襯底上制備出直徑為100nm、長度可達(dá)到微米級(jí)、密度為1010/cm2,并且分布均勻的大面積Si納米線(SiNWs)。實(shí)驗(yàn)研究了不同種類的催化劑、催化劑厚度、襯底形貌和生長時(shí)間等工藝條件對(duì)Si納米線以及Si納米線的光致發(fā)光(PL)特性和反射率的影響。利用X射線能量損失譜(EDS)、X射線衍射儀(XRD)、掃描電子顯微鏡(SEM)、F4600熒光光譜儀和
2、D8反射率測試儀等對(duì)Si納米線的形貌、組分、生長晶向、PL特性和反射率進(jìn)行了測試和表征。結(jié)果表明,在生長溫度為1100℃,N2氣流量為1.5 L/min,生長時(shí)間為60min的條件下,采用Al/Au合金作為金屬催化劑,所制備的Si納米線的密度比 Au作為催化劑制備的 Si納米線的密度大二個(gè)數(shù)量級(jí),達(dá)到了1010cm2。發(fā)現(xiàn)在355-390nm波長范圍存在一個(gè)較強(qiáng)的紫外發(fā)射峰,以及458-475nm處存在一個(gè)較弱的藍(lán)光發(fā)射峰,其峰值分別位
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