基于界面修飾的高性能有機場效應(yīng)晶體管的研究.pdf

1、隨著電子信息時代的迅猛發(fā)展，有機場效應(yīng)晶體管（OFET）作為有機電子元器件的重要組成部分，其發(fā)展速度也不容小覷。它可以被廣泛應(yīng)用于存儲器、電子開關(guān)、射頻標(biāo)簽、電子書等領(lǐng)域，因此對于有機場效應(yīng)晶體管的性能需求越來越高。為了滿足對高性能有機場效應(yīng)晶體管的需要，制備高質(zhì)量的OFET將成為一項長期并且必要的任務(wù)。本文研究了其器件結(jié)構(gòu)與工作原理以及電學(xué)特性的表征方法，決定根據(jù)器件結(jié)構(gòu)，針對場效應(yīng)晶體管的兩個重要界面進(jìn)行優(yōu)化，設(shè)計了多種修飾方案，制

2、備器件，通過測量其電學(xué)性質(zhì)驗證修飾效果，具體研究內(nèi)容為：
　　首先，我們采用了十八烷基硅烷（OTS）對二氧化硅絕緣層進(jìn)行自組裝單層修飾，還有聚甲基丙烯酸甲酯（PMMA）修飾二氧化硅表面，兩者都取得了較好的修飾效果，器件遷移率提高了一個數(shù)量級。除此之外，還利用組內(nèi)自己合成的硫醇材料修飾器件的源漏電極（金電極），器件的電學(xué)性質(zhì)也有了一定的提高，通過測算電極與半導(dǎo)體間的接觸電阻，驗證了加入修飾材料后有效降低了接觸電阻從而提高了器件性能。

3、
　　其次，我們探究了不同的退火方式對器件性能的影響。采用了幾種較為常用的修飾材料同時進(jìn)行快速退火與慢速退火的對比，得出普遍快速退火更有助于載流子的傳輸?shù)慕Y(jié)論，并且通過原子力顯微鏡圖像（AFM）、X-射線衍射（XRD）、接觸角測量的方法進(jìn)行具體分析，發(fā)現(xiàn)快速退火更有助于半導(dǎo)體層并五苯的結(jié)晶以及粒子的分布，這是導(dǎo)致其性能較高的本質(zhì)原因。
　　最后，我們還設(shè)計了一種雙層聚合物修飾絕緣層的結(jié)構(gòu)，采用PMMA與交聯(lián)聚（4-乙基苯酚）