基于PCM的混合內存系統(tǒng)的研究與仿真.pdf

1、目前，基于DRAM的主存系統(tǒng)在功耗與成本方面已接近瓶頸。相變存儲器（Phase-Change-Memory,PCM）以其非易失、存儲密度大、功耗低的特點有潛力成為未來大容量內存系統(tǒng)中DRAM的替代者。有學者提出了一種DRAM+PCM的混合內存系統(tǒng)結構,該結構中PCM作為主存，DRAM作為PCM的緩存。這種結構的有效性需要進一步驗證。同時，目前PCM未能批量生產，基于樣本的原型設計成本太高、周期太長。因此需要利用仿真器模擬混合內存系統(tǒng)。<

2、br>　　為了實現(xiàn)PCM混合內存仿真系統(tǒng)，首先設計了一個混合內存控制器，該控制器實現(xiàn)了地址映射、命令生成、DRAM與PCM間數(shù)據(jù)交換的功能，并利用一個寫隊列平衡PCM較高的寫延遲，優(yōu)化了性能；其次提出了一種定時刷回策略和簡單的LRU替換算法，能夠以較小的代價實現(xiàn)DRAM中頁的定期寫回和高效替換，減少了掉電可能造成的損失；同時，提出了一種細粒度的元數(shù)據(jù)管理策略，將元數(shù)據(jù)與數(shù)據(jù)放在一起，減少了存儲開銷；最后，利用DRAMSim2和PCMSi