一種低插損大衰減量的MMIC 6位數(shù)控衰減器.pdf

1、隨著微波通信的不斷發(fā)展,通信系統(tǒng)中不斷的需要高性能、小型化集成電路來滿足用戶越來越復(fù)雜的要求。而砷化鎵微波單片集成電路的出現(xiàn)正是順應(yīng)了這樣的要求。單片電路器件的密度高、重量小、設(shè)計方便、可靠性強、工作頻帶寬及耗電非常少等優(yōu)點。而對于微波數(shù)控衰減器,它可以通過給定的控制電平來實現(xiàn)對射頻信號幅度的調(diào)節(jié)。數(shù)控衰減器的主要指標(biāo)包括衰減精度、動態(tài)范圍、插入損耗以及駐波等,其性能的好壞往往直接影響到整個電路系統(tǒng)中的性能指標(biāo)。
　　針對上述問題

2、,本論文以設(shè)計低插損、大衰減量、高的衰減精度、端口駐波好為基本內(nèi)容,此外為了實現(xiàn)正的TTL電平控制,集成了驅(qū)動電路,最終實現(xiàn)了數(shù)?；旌系脑O(shè)計。本文的主要內(nèi)容如下:
　　首先,介紹了本課題的發(fā)展背景及意義、MMIC的發(fā)展概況和研究進展。對數(shù)控衰減器的基本原理以及結(jié)構(gòu)分類做了詳細(xì)的描述及分析。給出了單片電路中的有源器件以及無源器件的模型分析,并介紹了pHEMT的模型參數(shù)提取方法。
　　然后,基于以上模型和理論,仿真設(shè)計了一款低插

3、損大衰減量數(shù)控衰減器。為了更加方便應(yīng)用,還設(shè)計了一個驅(qū)動器將其轉(zhuǎn)化為正電控制衰減器。并分別給出了衰減器和驅(qū)動器的仿真曲線以及整個電路版圖。
　　最后,將仿真好的版圖加工成實物并利用矢網(wǎng)進行了測試和分析。本文所選擇的單片流片工藝,是國內(nèi)中國電子科技集團第十三研究所的E、D工藝。結(jié)合了工藝線提供的元件庫,完成了指標(biāo)優(yōu)良的MMIC數(shù)控衰減器,最后交由工藝線生產(chǎn)。對樣本測試結(jié)果滿足設(shè)計要求。
　　在DC~2GHz的工作頻帶內(nèi),六位數(shù)