基于ZnO納米結(jié)構(gòu)電阻式紫外探測(cè)器的研究.pdf

1、氧化鋅(ZnO)是一種短波長(zhǎng)、寬帶隙的光電材料,其外延生長(zhǎng)溫度低、成本低、易刻蝕而使后工藝加工方便等優(yōu)點(diǎn),在發(fā)光二極管、激光器、紫外探測(cè)器等領(lǐng)域有非常廣泛的應(yīng)用。本文采用了“熱分解法”,合成了 ZnO納米晶,用噴涂的方法制備了 ZnO納米結(jié)構(gòu)薄膜,構(gòu)筑了電阻式光探測(cè)器,系統(tǒng)地研究了退火溫度與探測(cè)性能之間的聯(lián)系,探索了用 AgBiS2量子點(diǎn)敏化ZnO納米晶薄膜對(duì)探測(cè)器件性能的影響,主要研究結(jié)果如下:
　　1. ZnO納米晶上敏化 A

2、gBiS2量子點(diǎn)的光探測(cè)器的構(gòu)建:利用Zn(CH3COO)2熱分解的方法在普通玻璃上沉積一層厚度約為754 nm的 ZnO薄膜,發(fā)現(xiàn)決定 ZnO薄膜的光探測(cè)性能的關(guān)鍵是沉積后的熱處理過(guò)程;利用噴涂的方法,用單分散的 AgBiS2量子點(diǎn)敏化 ZnO納米晶,發(fā)現(xiàn)決定探測(cè)器性能的關(guān)鍵因素在于噴涂 AgBiS2的次數(shù);
　　2. AgBiS2量子點(diǎn)敏化 ZnO納米結(jié)構(gòu)光探測(cè)器件的界面處理:利用Ligand-Exchange的方法對(duì) AgB

3、iS2量子點(diǎn)表面進(jìn)行處理,我們發(fā)現(xiàn)離子置換處理后的 AgBiS2量子點(diǎn)用于敏化 ZnO納米結(jié)構(gòu)的探測(cè)器件時(shí),更有利于光生載流子的傳輸,結(jié)果離子置換后的 AgBiS2量子點(diǎn)敏化 ZnO的復(fù)合探測(cè)器件的光探測(cè)能力比 ZnO單獨(dú)的探測(cè)器件增強(qiáng)一倍。
　　3. AgBiS2量子點(diǎn)敏化 ZnO納米結(jié)構(gòu)光探測(cè)器件的穩(wěn)定性:經(jīng)過(guò)10 min光照→10 min暗態(tài)2循環(huán)后,發(fā)現(xiàn)探測(cè)器仍能有較好的重復(fù)性,光電流和暗電流都會(huì)升高和下降至約同一電流值。