關(guān)于氮氧鋅薄膜晶體管技術(shù)研究.pdf

1、自氧化物Thin Film Transistor(TFT)問(wèn)世以來(lái)，相比于其他材料，憑借其較高的遷移率，在驅(qū)動(dòng)電路中能提供更高的驅(qū)動(dòng)電流和極快的像素轉(zhuǎn)換，完全滿足超高清、大屏幕等未來(lái)顯示的新潮流，并且具有低溫下制備、對(duì)可見(jiàn)光透明的特點(diǎn)，所以越來(lái)越受到人們的青睞。目前的氧化物半導(dǎo)體材料有Zinc Oxide(ZnO)、Indium Zinc Oxide(IZO)、Indium Gallium Zinc Oxide(IGZO)等，氧化物半導(dǎo)

2、體能帶結(jié)構(gòu)中，價(jià)帶由氧離子的2p軌道形成，ZnO的禁帶寬度約為3.2eV，高于價(jià)帶頂?shù)膸吨写嬖谥蹩瘴蝗毕?，氧空位?huì)導(dǎo)致電流的緩慢衰減，造成系統(tǒng)的不穩(wěn)定性。因此對(duì)在氧化物中摻入比氧離子 p軌道能量高的陰離子(N3-，S2-等)進(jìn)行研究是必要的。
　　本研究主要內(nèi)容包括：⑴采用射頻磁控濺射制備了ZnON薄膜。對(duì)在不同氮氧比和不同濺射功率下制備的 ZnON薄膜進(jìn)行了透過(guò)率分析，對(duì)不同氮氧比下制備的薄膜進(jìn)行了SEM和 EDS表征。我們

3、發(fā)現(xiàn)所制備的樣品皆為直接帶隙半導(dǎo)體，透過(guò)率總體呈下降趨勢(shì)，隨著氮含量的增加，薄膜的形貌得到一定的改善。EDS證明了Zn、O、N三種元素的存在。⑵采用底柵頂接觸型結(jié)構(gòu)，ZnON作為有源層，金屬M(fèi)o作為源漏級(jí)，重?fù)诫sSi作為襯底及柵極，SiO2為柵極絕緣層，然后探索得到了制備薄膜晶體管過(guò)程中的具體參數(shù)，射頻磁控濺射：基于第二章中制備ZnON的性能分析，我們選擇N2流量為50sccm，濺射功率300W。光刻：襯底清洗，涂膠（前轉(zhuǎn)800rps/