電場調(diào)控低熔點(diǎn)金屬納米線的熔化再結(jié)晶行為.pdf

1、隨著納米科技的飛速發(fā)展，納電子器件以其高度集成化和存儲(chǔ)量大的優(yōu)點(diǎn)被廣泛應(yīng)用在各個(gè)領(lǐng)域。然而，作為連接納電子器件功能元件的金屬納米線，在使用過程中因?yàn)樗幁h(huán)境溫度使其發(fā)生熔化，有效地對金屬納米線在再結(jié)晶的過程中調(diào)控其形貔和結(jié)構(gòu)的變化，從而延長納電子器件的使用壽命，成為了人們關(guān)注的重心。本文以AAO模板限域的特點(diǎn)為前提，探究了電場對低熔點(diǎn)金屬納米線在熔化再結(jié)晶過程中的作用，為低熔點(diǎn)金屬納米線在納電子器件中的應(yīng)用提供了理論基礎(chǔ)。主要的工作如下

2、:
　　首先，采用兩步陽極氧化的方法制備出孔徑均勻的AAO模板，使用電化學(xué)沉積的方法在AAO模板的孔道內(nèi)制備出具有一維納米結(jié)構(gòu)的低熔點(diǎn)金屬（鉍，鉛和銦）納米線陣列，運(yùn)用相應(yīng)的表征方法對低熔點(diǎn)金屬納米線陣列在實(shí)驗(yàn)前后的形貌和結(jié)構(gòu)進(jìn)行表征分析;
　　其次，探究了在外加不同電壓條件下，低熔點(diǎn)金屬（鉍，鉛以及銦）納米線在高溫熔化冷卻再結(jié)晶過程中納米線形貌和結(jié)構(gòu)的變化。在外加電場的條件下對金屬納米線進(jìn)行長時(shí)間的熔化再結(jié)晶行為，從表征分

3、析結(jié)果得出:隨著直流電壓的升高，鉍、鉛和銦納米線都會(huì)發(fā)生由長變短，直到最后變?yōu)榧?xì)小的顆粒的現(xiàn)象;同時(shí)鉍納米線的(110)晶而與納米線生長方向之間的夾角由最初的60°逐漸增大到90°，鉛納米線的(200)晶面和銦納米線的(002)晶面與納米線生長方向之間的夾角均由最初的60°，逐漸減小到一個(gè)小的角度，直到彼此互相平行;
　　最后，分析了低熔點(diǎn)金屬納米線形貌和結(jié)構(gòu)變化的原因:隨著電壓的升高，納米線所受到的電場力逐漸增大，在電場力的作用