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1、SnS是直接帶隙半導(dǎo)體,其禁帶寬度為1.3~1.5eV,非常接近太陽(yáng)能電池的最佳禁帶寬度1.5eV,并且其具有較大的光吸收系數(shù)(>104cm-1),很適合做太陽(yáng)能電池的吸收層。由于SnS具有制備成本低、無(wú)毒、地球儲(chǔ)量豐富等優(yōu)點(diǎn),其在薄膜太陽(yáng)能電池領(lǐng)域具有廣闊的發(fā)展前景。CdS是禁帶寬度為2.4eV的直接帶隙半導(dǎo)體。CdS既有很高的光透過(guò)率,以保證有盡量多的光子供吸收,還有較大的光電導(dǎo)率可以減小電池的內(nèi)阻,因此很適合作為太陽(yáng)能電池的窗口層
2、材料。
太陽(yáng)能電池的性能與吸收層和窗口層的薄膜質(zhì)量有密切關(guān)系。因此本文采用電沉積法制備了SnS薄膜并研究工藝參數(shù)對(duì)其物相、形貌、光學(xué)性能的影響。優(yōu)化出的工藝參數(shù)為:電流密度為0.5mA/cm2,Sn2+濃度為10mM,離子濃度比Sn2+/S2O32-=1/5,EDTA濃度為5mM,總沉積時(shí)間t=1.5h,沉積溫度T=45oC,溶液pH=2,氬氣中300oC退火。制備的SnS薄膜成分接近化學(xué)計(jì)量比,均勻致密,具有高的吸收系數(shù)。采
3、用化學(xué)水浴法制備了CdS薄膜并研究工藝參數(shù)對(duì)其物相、形貌、光學(xué)性能的影響。優(yōu)化出的工藝參數(shù)為:溶液pH=10,反應(yīng)溫度T=80oC,硫脲濃度0.015M,氯化鎘濃度0.015M,氯化銨濃度0.03M,反應(yīng)時(shí)間30min,氬氣中400oC退火。制備的CdS薄膜接近化學(xué)計(jì)量比,在(002)方向有明顯取向,薄膜致密均勻,具有較高的光透過(guò)率。
本文還制備出CdS/SnS太陽(yáng)能電池,并研究了其性能,J-V曲線表明制備的太陽(yáng)能電池具有明顯
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