液相多元醇法制備銀納米線及在透明導(dǎo)電膜上的應(yīng)用.pdf

1、隨著科學(xué)技術(shù)的提高，電子產(chǎn)品的出現(xiàn)推動了計算機(jī)、通信、信息家電與網(wǎng)絡(luò)技術(shù)等現(xiàn)代信息產(chǎn)業(yè)的跨越式發(fā)展，而透明導(dǎo)電膜作為電子產(chǎn)品中最重要一環(huán)更是決定了未來電子產(chǎn)品的發(fā)展方向。銀納米線的出現(xiàn)使得透明導(dǎo)電膜向柔性發(fā)展又邁進(jìn)了一大步，銀納米線的出現(xiàn)更是彌補(bǔ)了原有ITO以及AZO兩種透明導(dǎo)電膜的不足。而銀納米線形貌以及尺寸的控制更是決定了銀納米線在透明導(dǎo)電膜上的應(yīng)用性能。
　　基于以上背景，本研究首先利用液相多元醇制備銀納米線，通過多元醇兩步

2、法，預(yù)先制備銀納米雙十面晶種，通過晶種的生長以及外加誘導(dǎo)劑PVP的共同作用下獲得銀納米線。利用真空抽濾法、噴涂法、旋涂法以及磁控濺射法制備銀納米線薄膜、PVA薄膜、ITO以及AZO薄膜。最終將銀納米線與上述三種薄膜進(jìn)行組裝獲得銀納米線復(fù)合薄膜。
　　針對銀納米線形貌控制，通過表征分析，不同PVP與硝酸銀摩爾比對銀納米線最終形貌影響結(jié)果不同，提高摩爾比有利于獲得均一的銀納米線。反應(yīng)時間的增加有利于銀納米晶體的充分生長，進(jìn)而獲得尺寸最

3、佳的銀納米線。不同控制劑對液相多元醇法銀納米線制備過程影響不同，銀離子控制劑可以縮短制備時間，陽離子控制劑可以減少副產(chǎn)物硝酸等對銀納米線形貌的腐蝕。加料速度以及加料順序同樣會對銀納米線形貌產(chǎn)生影響，適當(dāng)?shù)募恿纤俣纫约绊樞驎龠M(jìn)銀納米晶體生長，獲得形貌尺寸均一的銀納米線。
　　在制備薄膜過程中，預(yù)先對薄膜進(jìn)行紫外臭氧清洗是有必要的，能夠減少襯底表面有機(jī)物的含量，增加銀納米線溶液以及PVA與襯底潤濕性，但延長清洗時間也會降低襯底的透過

4、率，導(dǎo)致復(fù)合薄膜最終的透過性降低。延長旋涂時間以及提高旋涂速度會增加薄膜厚度，薄膜的透過率也會降低。在水平拉力作用下薄膜厚度變薄，透過率提高，但是導(dǎo)電性能下降。
　　銀納米線的加入能夠顯著提高PVA、ITO以及AZO的導(dǎo)電性能，能夠?qū)⒔^緣材料PVA變?yōu)閷?dǎo)體，方阻最低可降為20Ω/□，銀納米線ITO方阻為3Ω/□，銀納米線 AZO方阻為10Ω/□。同時通過燒結(jié)與垂直壓力作用都能夠增加銀納米線之間的連接性，進(jìn)而降低銀納米線之間的電阻從