版權(quán)說明:本文檔由用戶提供并上傳,收益歸屬內(nèi)容提供方,若內(nèi)容存在侵權(quán),請進(jìn)行舉報(bào)或認(rèn)領(lǐng)
文檔簡介
1、隨著社會(huì)的不斷發(fā)展,鐵氧體材料的應(yīng)用領(lǐng)域越來越廣泛,可以用于光催化材料、吸波材料、太陽能轉(zhuǎn)換材料以及電極材料等。鐵氧體材料大多是四方結(jié)構(gòu)的n型半導(dǎo)體或者絕緣體,但CaFe2O4是具有斜方的晶體結(jié)構(gòu)的p型半導(dǎo)體,并且Ca2+和Fe3+都很容易被其他金屬離子替代,從而導(dǎo)致CaFe2O4的電磁輸運(yùn)性質(zhì)發(fā)生變化。
本論文采用溶膠凝膠法制備了過渡金屬元素Zn和Cr摻雜p型半導(dǎo)體CaFe2O4粉末,并對Ca1-xZnxFe2O4和CaCr
2、xFe2-xO4的結(jié)構(gòu)及電磁輸運(yùn)性質(zhì)進(jìn)行了研究,主要內(nèi)容如下:
實(shí)驗(yàn)采用凝膠溶膠法以檸檬酸為絡(luò)合物制備了Ca1-xZnxFe2O4的反應(yīng)前驅(qū)體,然后在空氣中1000℃燒結(jié)3小時(shí),即可得到粉末樣品。X射線衍射結(jié)果表明當(dāng)x=0.05時(shí),已經(jīng)出現(xiàn)了第二相ZnFe2O4,這說明Zn在CaFe2O4晶格中的摻雜濃度很低。
實(shí)驗(yàn)采用凝膠溶膠法在不同燒結(jié)溫度條件下制備了不同摻雜濃度的CaCrxFe2-xO4的粉末。X射線衍射結(jié)果表
3、明,當(dāng)燒結(jié)溫度低于1000℃時(shí),反應(yīng)不完全,所生成的產(chǎn)物為CaCrO3和CaFe2O4的混合相。當(dāng)退火溫度達(dá)到1000℃時(shí),燒結(jié)2小時(shí)即可得到純的CaCrxFe2-xO4粉末。同時(shí), X射線衍射結(jié)果表明采用溶膠凝膠法制備的CaCrxFe2-xO4材料,當(dāng)Cr的摻雜濃度達(dá)到70%時(shí),X射線衍射圖譜中仍然沒有出現(xiàn)雜質(zhì)峰,說明隨著Cr元素含量增加,材料的晶格結(jié)構(gòu)沒有改變,晶胞體積隨著Cr含量的增加逐漸減小。磁性測量結(jié)果表明,未摻雜的CaFe2
4、O4粉末具有反鐵磁特性,Neel溫度為180K,隨著Cr含量的增加CaCrxFe2-xO4粉末仍然表現(xiàn)出反鐵磁特性,Neel溫度逐漸減小。熒光光譜測量結(jié)果表明,溶膠凝膠法制備的未摻雜的CaFe2O4粉末在750nm左右出現(xiàn)了發(fā)光的峰,表明其光學(xué)帶隙約為1.65eV。
此外,還根據(jù)實(shí)驗(yàn)得到的CaFe2O4的晶格參數(shù)采用VASP軟件計(jì)算了CaFe2O4的電子結(jié)構(gòu),第一性原理計(jì)算結(jié)果表明,與非磁性和鐵磁性相比CaFe2O4表現(xiàn)為反鐵
溫馨提示
- 1. 本站所有資源如無特殊說明,都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請下載最新的WinRAR軟件解壓。
- 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等,如果需要附件,請聯(lián)系上傳者。文件的所有權(quán)益歸上傳用戶所有。
- 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙,網(wǎng)頁內(nèi)容里面會(huì)有圖紙預(yù)覽,若沒有圖紙預(yù)覽就沒有圖紙。
- 4. 未經(jīng)權(quán)益所有人同意不得將文件中的內(nèi)容挪作商業(yè)或盈利用途。
- 5. 眾賞文庫僅提供信息存儲(chǔ)空間,僅對用戶上傳內(nèi)容的表現(xiàn)方式做保護(hù)處理,對用戶上傳分享的文檔內(nèi)容本身不做任何修改或編輯,并不能對任何下載內(nèi)容負(fù)責(zé)。
- 6. 下載文件中如有侵權(quán)或不適當(dāng)內(nèi)容,請與我們聯(lián)系,我們立即糾正。
- 7. 本站不保證下載資源的準(zhǔn)確性、安全性和完整性, 同時(shí)也不承擔(dān)用戶因使用這些下載資源對自己和他人造成任何形式的傷害或損失。
最新文檔
- 過渡金屬摻雜znfe2o4的制備和磁性能研究
- 3d過渡金屬摻雜In2O3稀磁半導(dǎo)體材料的制備與研究.pdf
- 過渡金屬摻雜ZnFe2O4的制備和磁性能研究.pdf
- 過渡元素?fù)诫sZnO稀磁半導(dǎo)體的制備及性質(zhì)研究.pdf
- 過渡金屬摻雜Te基半導(dǎo)體材料的制備與性能.pdf
- 過渡金屬摻雜ZnS基納米稀磁半導(dǎo)體的制備與性能研究.pdf
- 19493.過渡金屬摻雜tio2基稀磁半導(dǎo)體的制備及性能研究
- 過渡金屬氧化物磁半導(dǎo)體的結(jié)構(gòu)與磁性研究:Co3O4和Co摻雜ZnO.pdf
- 共摻雜CuCrO2基P型稀磁半導(dǎo)體的制備及物性研究.pdf
- 過渡金屬摻雜ZnS基稀磁半導(dǎo)體水熱法制備及性能研究.pdf
- 23062.過渡金屬共摻雜zno基稀磁半導(dǎo)體的制備與性能研究
- 半導(dǎo)體納米ZnO的制備、摻雜及光學(xué)性質(zhì).pdf
- 3d過渡金屬摻雜有機(jī)小分子半導(dǎo)體的特性研究.pdf
- P型銅鐵礦結(jié)構(gòu)摻雜氧化物半導(dǎo)體CuAlO2的制備及性能研究.pdf
- 過渡金屬氧族化合物半導(dǎo)體納米材料的制備及相關(guān)性質(zhì)研究.pdf
- 過渡金屬摻雜TiO2的制備及其光催化性質(zhì)的研究.pdf
- 過渡金屬元素Co和Mn摻雜ZnO稀磁半導(dǎo)體塊材樣品的制備及磁性.pdf
- 有機(jī)P型半導(dǎo)體材料的制備及其表征.pdf
- 有機(jī)P型半導(dǎo)體材料的制備及表征.pdf
- 有機(jī)P型半導(dǎo)體材料的制備及性能研究.pdf
評論
0/150
提交評論