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文檔簡介
1、LDO具有較小的面積、功耗低、高電源抑制比,較好的線性瞬態(tài)響應以及效率較高的優(yōu)點。對于LDO性能的要求越來越高,比如:在一些溫度范圍變化較大的的環(huán)境下,LDO的溫漂系數(shù)要求相當嚴格。
本文首先闡述了LDO的工作的原理,并且詳細地研究和分析了LDO的各種性能參數(shù)?；赥SMC0.18um CMOS工藝,設計了一款高性能的LDO。設計的LDO通過了spectre軟件的仿真。仿真的結果表明:LDO的電源電壓是3V,輸出的電壓是1.8
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