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1、近年來,因能耗低、發(fā)光效率高、壽命長、對環(huán)鏡友好等優(yōu)點白光發(fā)光二極管(WLED)得到了越來越多的研究。白光可以通過LED芯片激發(fā)熒光粉轉(zhuǎn)化得到。因此尋找高效的可以將LED芯片發(fā)出光轉(zhuǎn)化成可見光的熒光粉變得尤為重要。
本研究主要內(nèi)容包括:⑴采用微乳液-水熱法成功合成一系列ZnWO4:x%Eu3+(x=0~9)熒光粉。樣品的X射線衍射圖譜表明樣品為單斜晶系單晶,Eu3+以取代的方式進入Zn2+格位。通過掃描電鏡看到合成的樣品為不規(guī)
2、則的球狀,顆粒尺寸在0.5~1.0μm范圍內(nèi)。樣品的熒光光譜證明了WO42-與Eu3+之間存在能量傳遞,通過調(diào)節(jié)Eu3+的摻雜量實現(xiàn)了光色調(diào)諧。⑵采用微乳液-水熱法成功合成一系列NaLa(MoO4)2(NLM):Eu3+/Tb3+/Tm3+單/共摻熒光粉。樣品的X射線衍射圖譜表明樣品均為四方晶系單晶,Eu3+、Tb3+、Tm3+均以取代的方式進入La3+的格位。掃描電子顯微鏡照片顯示樣品呈四方片狀形貌,顆粒尺寸1~1.5μm。熒光光譜對
3、NLM:Eu3+/Tb3+/Tm3+單、共摻熒光粉發(fā)光性質(zhì)進行了探討。⑶當(dāng)Eu3+摻雜濃度為是9%時,NLM:9%Eu3+熒光粉在616 nm發(fā)射峰是最強的,此時在NLM基質(zhì)中Eu3+之間的臨界傳遞距離(Rc)約為15.20?。在NLM:9%Eu3+的發(fā)射光譜中,591 nm處的發(fā)射峰為Eu3+的5D0→7F1的磁偶極躍遷;616 nm處的發(fā)射峰為Eu3+的5D0→7F2的電偶極躍遷,電偶極躍遷發(fā)射強度約是磁偶極躍遷強度的10倍,表明E
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