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文檔簡介
1、銅銦鎵硒(CIGS)薄膜太陽能電池因其轉(zhuǎn)化效率高、弱光響應好、抗輻射能力強等優(yōu)點,被稱為最有前途的第三代太陽能電池。然而由于金屬銦、鎵兩種元素在地球上的儲量很低,這嚴重制約了CIGS薄膜太陽能電池的大規(guī)模產(chǎn)業(yè)化。
CuSbS2在材料性質(zhì)方面與CIGS相似,具有較高的光吸收系數(shù),帶隙接近最佳值1.5eV,適合作為太陽能電池吸收層材料。此外,CuSbS2組成元素儲量豐富,有利于降低材料成本,適合大規(guī)模產(chǎn)業(yè)化生產(chǎn)。尤其是CuSbS2
2、熔點為535℃,遠低于銅銦鎵硒和銅鋅錫硫,因此可大幅降低薄膜制備時的襯底溫度,有利于發(fā)展聚合物襯底的柔性太陽能電池。
本論文采用多源共蒸發(fā)技術(shù)制備CuSbS2薄膜,系統(tǒng)地研究了制備工藝參數(shù)(如襯底溫度、沉積速率)和工藝路線(如蒸發(fā)順序)對成膜質(zhì)量的影響。分別采用一步法、兩步法制備CuSbS2薄膜,研究了CuSbS2薄膜的成分、物相和結(jié)晶性等與制備工藝的關系。研究表明,采用兩步法制備的薄膜物相純度高、結(jié)晶性較好。在此基礎上詳細研
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