記憶元件的模擬器設(shè)計(jì).pdf

1、記憶元件包括憶阻器、憶容器和憶感器，它們的提出是對(duì)經(jīng)典電路理論的擴(kuò)充。從2008年HP實(shí)驗(yàn)室發(fā)現(xiàn)了納米級(jí)的憶阻器后掀起了記憶元件研究的熱潮。然而憶阻器制作工藝復(fù)雜、實(shí)驗(yàn)環(huán)境嚴(yán)格苛刻，目前無(wú)法批量生產(chǎn)，而憶容器和憶感器甚至至今未能找到對(duì)應(yīng)的實(shí)物，所以對(duì)于這些記憶元件的研究主要還是依賴于計(jì)算機(jī)輔助電路分析軟件，因此研究記憶元件的模擬器成為一項(xiàng)重要的課題。
　　本文首先全面探討了記憶元件的本構(gòu)方程，在此基礎(chǔ)上對(duì)記憶元件的模擬器進(jìn)行設(shè)計(jì)，

2、包括憶阻器的流控型模擬器和壓控型模擬器、憶容器的壓控型模擬器和荷控型模擬器、憶感器的流控型模擬器和磁控型模擬器，以及所有模型的接地型接法和浮地型接法。然后對(duì)憶阻器-憶容器和憶阻器-憶感器轉(zhuǎn)換電路進(jìn)行分析，由此得到基于憶阻器的憶容器模擬器和憶感器模擬器的電路設(shè)計(jì)。更進(jìn)一步地，本文對(duì)分?jǐn)?shù)階憶阻器M?進(jìn)行研究，推導(dǎo)其數(shù)學(xué)方程，并得到一個(gè)通用的分?jǐn)?shù)階憶阻器模擬器，只要在輸入端輸入相應(yīng)的參數(shù)就可以得到各種不同的分?jǐn)?shù)階憶阻器模擬器，簡(jiǎn)單方便快捷；并