版權(quán)說明:本文檔由用戶提供并上傳,收益歸屬內(nèi)容提供方,若內(nèi)容存在侵權(quán),請進(jìn)行舉報或認(rèn)領(lǐng)
文檔簡介
1、等離子體顯示器(PDP,Plasma Display panel),是一種采用氣體放電,主動發(fā)光的顯示技術(shù),相對于其他顯示器PDP有許多優(yōu)點:屏幕薄、重量輕、亮度高、響應(yīng)速度快、灰度等級高,同時內(nèi)部結(jié)構(gòu)簡單,工藝方便,適合批量生產(chǎn)。但是PDP功耗偏高,在節(jié)能環(huán)保的今天不利于PDP的發(fā)展。所以本文從PDP的保護(hù)層出發(fā),改變其原有的保護(hù)結(jié)構(gòu),在原單一MgO保護(hù)層上鍍上復(fù)合薄膜,提高薄膜的二次電子發(fā)射系數(shù),降低放電延遲時間,提高PDP的放電效
2、率(提升屏幕亮度)。根據(jù)國際上的研究成果,本文采用射頻濺射的方法在 AC-PDP前基板上鍍上MgO-LaB6復(fù)合薄膜。
1、通過改變?yōu)R射時間和濺射功率來研究射頻濺射對 LaB6薄膜的影響。測試發(fā)現(xiàn)隨著濺射功率的增加LaB6薄膜(100)晶向得到充分的生長,保證了LaB6優(yōu)秀的放電特性。在延長濺射時間時發(fā)現(xiàn),磁控濺射鍍膜時膜的厚度不與時間成正比關(guān)系,時間越長薄膜生長越緩慢。另外經(jīng)由XPS測試得出,腔體內(nèi)氧含量較少的情況下,LaB
3、6成分不會被改變。
2、課題探索了在不同濺射功率和不同 LaB6摻雜比例下薄膜的性能,發(fā)現(xiàn)摻雜LaB6質(zhì)量比為3%的靶材(MgO-LaB6)在100W功率下薄膜的生長較好,透過率也比較理想。從復(fù)合薄膜的XPS分析中得出,薄膜中La元素和B元素存在間隙到MgO結(jié)構(gòu)中的可能。
3、通過對測試裝置的闡述,分析了采用雙向脈沖控制電源的原因,同時也提出了電源在測試薄膜放電時存在的一些問題和大致解決方法,從中可以發(fā)現(xiàn)電路的設(shè)計會
4、影響 AC-PDP的功耗。隨后,課題對基片老煉進(jìn)行了分析研究,得出合理的老煉方法有利于提高薄膜的放電特性。在輝光放電下,基片老煉10h后,基片薄膜表面得到穩(wěn)固,著火電壓降低并得到穩(wěn)定。
4、在不同 Xe氣濃度和不同氣體壓強(qiáng)下測試得出了優(yōu)化后的工藝參數(shù),濺射功率為100 W,MgO-LaB6靶材中LaB6的質(zhì)量比為3%,濺射時Ar:O2為80:5(單位sccm)。放電測試數(shù)據(jù)表明,在10%Xe-Ne,400torr氣壓下,雙層介
溫馨提示
- 1. 本站所有資源如無特殊說明,都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請下載最新的WinRAR軟件解壓。
- 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等,如果需要附件,請聯(lián)系上傳者。文件的所有權(quán)益歸上傳用戶所有。
- 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙,網(wǎng)頁內(nèi)容里面會有圖紙預(yù)覽,若沒有圖紙預(yù)覽就沒有圖紙。
- 4. 未經(jīng)權(quán)益所有人同意不得將文件中的內(nèi)容挪作商業(yè)或盈利用途。
- 5. 眾賞文庫僅提供信息存儲空間,僅對用戶上傳內(nèi)容的表現(xiàn)方式做保護(hù)處理,對用戶上傳分享的文檔內(nèi)容本身不做任何修改或編輯,并不能對任何下載內(nèi)容負(fù)責(zé)。
- 6. 下載文件中如有侵權(quán)或不適當(dāng)內(nèi)容,請與我們聯(lián)系,我們立即糾正。
- 7. 本站不保證下載資源的準(zhǔn)確性、安全性和完整性, 同時也不承擔(dān)用戶因使用這些下載資源對自己和他人造成任何形式的傷害或損失。
最新文檔
- 仿生礦化制備氧化鎂-氫氧化鎂材料的研究.pdf
- 六硼化鑭低壓氣體放電特性研究.pdf
- PDP鋁摻雜氧化鎂介質(zhì)層的研究.pdf
- 以鹽湖氧化鎂制備氫氧化鎂的研究.pdf
- 納米氧化鎂的摻雜、復(fù)合材料的制備與性能.pdf
- 鈦酸鍶鋇-氧化鎂鐵電移相材料摻雜改性研究.pdf
- 高純氫氧化鎂制備硅鋼級氧化鎂工藝研究.pdf
- 六硼化鑭多晶材料的制備及應(yīng)用.pdf
- 氧化鎂基調(diào)濕材料的研究與應(yīng)用.pdf
- 用于高速尋址PDP的六硼化鑭薄膜制備與放電特性研究.pdf
- 六硼化鑭場發(fā)射特性研究.pdf
- 納米氫氧化鎂和氧化鎂的合成與應(yīng)用研究.pdf
- 氧化鎂水合法制備阻燃級氫氧化鎂研究.pdf
- 從硼泥中提取氧化鎂和二氧化硅的研究.pdf
- 從硼泥制取阻燃級氫氧化鎂的研究.pdf
- 氣相水化氧化鎂制備氫氧化鎂及其動力學(xué)研究.pdf
- MAGNESIUM OXIDE-氧化鎂.pdf
- MAGNESIUM OXIDE-氧化鎂.pdf
- 絲網(wǎng)印刷制備應(yīng)用于PDP的六硼化鑭薄膜及其放電特性研究.pdf
- 基于含鎂尾礦制備氧化鎂材料及其性能研究.pdf
評論
0/150
提交評論