單模光纖彎曲損耗的實驗研究.pdf

1、隨著光纖到戶(fiber-to-the-fiber，F(xiàn)TTH)的逐漸普及，為了提升FTTH光網絡的整體性能，如何使光纖在較小的彎曲半徑下仍能保持較低的彎曲損耗是當今的研究熱點。彎曲不敏感單模光纖可以降低安裝成本并提高系統(tǒng)性能，因而在FTTH中得到廣泛應用。
　　本文對階躍型單模光纖和帶有下陷層結構的單模光纖的彎曲性能進行了全面的對比分析。針對帶有下陷層結構的單模光纖，系統(tǒng)分析了其參數對彎曲損耗、模場直徑的影響;基于理論分析，研制了

2、彎曲不敏感單模光纖(BIF);并實驗測試了五種單模光纖:SMF-28、G.657A1、G657A2、G.657B、BIF的彎曲損耗和截止波長。理論分析結果表明:帶有下陷層結構的單模光纖比階躍型單模光纖具有更優(yōu)的抗彎損性能。對于具有下陷層結構的單模光纖，隨著下陷層與芯層之間距離的增大，光纖的彎曲損耗存在最小損耗值點，此點對優(yōu)化光纖結構有重要作用。實驗測試結果表明:在波長為1550nm、彎曲半徑為5mm時，研制的BIF其彎曲損耗可低至0.0

3、52dB/tum，相對于SMF-28光纖，其抗彎損性能得到大幅度的提升;隨著彎曲半徑增大，五種單模光纖的彎曲損耗逐漸減小，在彎曲半徑較小時變化較劇烈，且伴隨著共振耦合;彎曲損耗也隨著工作波長的增大而增大，理論結果與實驗測量結果基本吻合，具有一致性。理論與實驗結果表明，測試的五種單模光纖其抗彎損性能由高到低分別為:BIF、G.657B、G.657A2、G657A1、SMF-28，即光纖中下陷層的引入及光纖結構參數的優(yōu)化能有效地改善光纖的彎