CeO2-SiO2復(fù)合拋光粉的制備及性能研究.pdf

1、本文以碳酸鈰為鈰源，以硅溶膠為硅源，通過噴霧干燥法制備出 CeO2-SiO2復(fù)合拋光粉前驅(qū)體，再經(jīng)過煅燒后得到CeO2-SiO2復(fù)合拋光粉。利用X射線衍射儀（XRD）、掃描電子顯微鏡（SEM）、Zeta電位儀、激光粒度儀等測試手段，研究了不同摻硅量、焙燒溫度、保溫時間、摻氟量等因素對 CeO2-SiO2復(fù)合拋光粉性能的影響。通過研究分析得出以下結(jié)論：
　　由于CeO2和SiO2拋光粉之間的拋光協(xié)同作用，制備出的CeO2-SiO2復(fù)

2、合拋光粉的拋光效果明顯優(yōu)于純CeO2和純SiO2拋光粉。當(dāng)CeO2與SiO2的質(zhì)量比大于2:1時，制備的復(fù)合拋光粉中的CeO2能完全包覆 SiO2，表面形貌接近于球形。通過對制備出的復(fù)合拋光粉的粒度、拋蝕量、表面劃痕情況綜合考慮，得出當(dāng)CeO2與SiO2的質(zhì)量比接近于4:1時，粉體的粒徑為0.985μm，用所制備的復(fù)合拋光粉對 K9玻璃進(jìn)行拋光試驗(yàn)，得出拋光粉的拋蝕量為0.2960g，表面劃痕少，拋光效果達(dá)到最好。制備復(fù)合拋光粉時，當(dāng)噴

3、霧干燥時的空氣流量為700L/h時，得到的拋光粉前驅(qū)體粒徑最小。在不同的煅燒溫度下焙燒拋光粉前驅(qū)體時，隨著煅燒溫度的升高，所制備出的復(fù)合拋光粉粒徑先減小后增大，拋光粉的團(tuán)聚也越來越嚴(yán)重，當(dāng)煅燒溫度為600℃時，所得拋光粉粒徑最小，分散性較好。拋光粉前驅(qū)體在600℃煅燒后，隨著保溫時間的增加，所得復(fù)合拋光粉的粒徑先減小后增大，拋光粉的分散性都較好，大多為球形單個顆粒，當(dāng)保溫時間為4h時，所得拋光粉粒徑最小。用所制備的復(fù)合拋光粉對K9玻璃進(jìn)

4、行拋光試驗(yàn)，得出當(dāng)空氣流量為700L/h，煅燒溫度為600℃，保溫時間為4h時，制得的復(fù)合拋光粉的拋蝕量最高，為0.2738g，對玻璃進(jìn)行拋光后玻璃的表面粗糙度（Sa）最低，在259μm×257μm范圍內(nèi)Sa降為0.049μm。當(dāng)向原料溶液中加入氫氟酸后，制備得到的復(fù)合拋光粉的拋光效果有明顯提高，這是因?yàn)閽伖夥壑挟a(chǎn)生 CeF3的緣故，CeF3屬于三方晶系結(jié)構(gòu)，具有尖銳的棱角有助于拋光，并且由于 CeF3的產(chǎn)生，增加了拋光粉的硬度，細(xì)化了