電聚合緩蝕劑對高純鋁箔電化學(xué)侵蝕行為影響研究.pdf

1、高純鋁箔的電化學(xué)侵蝕過程實(shí)際上涉及的是電化學(xué)池電極反應(yīng)過程，而影響電化學(xué)池電極反應(yīng)速率的變量主要有電極變量、外部變量、物質(zhì)傳遞變量、電學(xué)變量以及溶液變量。本論文通過改變電極變量，分別以石墨和鈦合金作為對電極，采用腐蝕電池式侵蝕方式，研究了緩蝕劑對高純鋁箔電化學(xué)侵蝕行為的影響，以達(dá)到減小鋁箔減薄量和失重率、增大鋁箔抗彎折強(qiáng)度和比容的目的，并對電聚合緩蝕機(jī)理進(jìn)行了研究，為完善鋁箔的電化學(xué)腐蝕工藝提供了理論基礎(chǔ)。
　　本文主要通過掃描電

2、子顯微鏡分析、能譜分析、紅外光譜分析、比容分析、質(zhì)量損失及減薄量分析等方法對腐蝕箔樣品進(jìn)行了分析表征，研究了硅烷偶聯(lián)劑及電聚合鄰氨基酚對高純鋁箔隧道孔生長規(guī)律的影響，并對兩類緩蝕劑的緩蝕效果進(jìn)行了對比分析；同時(shí)研究了電極材料對高純鋁箔腐蝕電池式侵蝕過程電流密度、腐蝕箔隧道孔長度和密度，以及對電聚合鄰氨基酚緩蝕過程的影響。
　　研究了以石墨作為對電極體系下硅烷KH-550、KH-560以及鄰氨基酚對高純鋁箔腐蝕電池式侵蝕行為的影響，

3、并從腐蝕箔隧道孔長度、密度、比容以及彎折強(qiáng)度等方面來分析比較三種緩蝕劑的緩蝕效果。結(jié)果顯示KH-550、KH-560及鄰氨基酚分別作為緩蝕劑時(shí)，腐蝕箔比容分別增加了7.14％、17.50%、26.19%，而彎折強(qiáng)度分別增加了21.90%、35.25%、46.67%。另外，鄰氨基酚作為緩蝕劑時(shí)隧道孔密度和長度均比硅烷偶聯(lián)劑作為緩蝕劑時(shí)的效果好。
　　研究了以鈦合金作為對電極對高純鋁箔腐蝕電池式侵蝕行為的影響，主要包括對電極材料對高純

4、鋁箔腐蝕電池式侵蝕電流密度、隧道孔長度和密度的影響，以及對電極材料對電聚合鄰氨基酚緩蝕過程的影響。實(shí)驗(yàn)結(jié)果顯示：一，以鈦合金作為對電極時(shí)，得到的腐蝕箔的隧道孔密度和長度均有一定程度增加，并且隧道孔分布更加均勻；鈦合金對電極之間距離對腐蝕箔的隧道孔長度和密度有明顯影響，當(dāng)電極間距離為2 cm時(shí)，腐蝕箔隧道孔密度非常大，隧道孔長度也較長，但是鋁箔表面腐蝕較嚴(yán)重，并孔團(tuán)簇現(xiàn)象嚴(yán)重，隨著對電極間距離的不斷增加，鋁箔表面嚴(yán)重腐蝕、并孔團(tuán)簇現(xiàn)象有一

5、定的改善，腐蝕箔隧道孔長度和密度也有不同程度的減小，當(dāng)對電極間距離增加到8 cm時(shí)，腐蝕箔隧道孔密度很大，但是隧道孔僅僅停留在腐蝕箔表面，沒有向縱深處繼續(xù)生長，隧道孔長度非常短，因此，鈦合金對電極間距離不宜過大或過小；二，當(dāng)鈦合金作為對電極時(shí)的腐蝕電流密度高于石墨作為對電極時(shí)的電流密度；當(dāng)鋁箔腐蝕電池式侵蝕時(shí)間為10s時(shí)，即侵蝕反應(yīng)剛開始時(shí)，腐蝕電流密度最大，隨著反應(yīng)時(shí)間的增加，腐蝕電流密度逐漸減??；對電極之間距離對高純鋁箔腐蝕電池式侵