基于AMC2C6670的TD-LTE物理層調(diào)度及接口實(shí)現(xiàn).pdf

1、LTE是繼第三代移動通信之后的新一代主流移動寬帶通信標(biāo)準(zhǔn)，其包含TDD和FDD兩種制式。LTE系統(tǒng)以正交頻分復(fù)用和多輸入多輸出技術(shù)為基礎(chǔ)，數(shù)據(jù)采取分組傳輸，在20MHz帶寬內(nèi)理論可以實(shí)現(xiàn)100Mb it/s的下行峰值速率和50Mb it/s的上行峰值速率。與3G通信系統(tǒng)相比，LTE通信系統(tǒng)在算法復(fù)雜度和傳輸性能上有一個數(shù)量級的增加，僅依靠單個處理器通常無法滿足高速實(shí)時處理大數(shù)據(jù)量的應(yīng)用需求，多處理器的分布式并行處理成為提高系統(tǒng)性能的有效

2、解決途徑，如何為系統(tǒng)中諸多的處理單元、控制單元提供一種高效率、高帶寬、高靈活性的互連架構(gòu)，成為LTE通信系統(tǒng)設(shè)計(jì)中頗具挑戰(zhàn)性的難題。
　　TDD-LTE測試系統(tǒng)系統(tǒng)主要包含主控板、基帶板 AMC2C6670、射頻板，其中，基帶物理層處理在基帶板AMC2C6670上完成，TDD-LTE系統(tǒng)工作時，每1ms都需要在基帶板DSP與主控板間、基帶板DSP與基帶板FPGA間傳輸大量數(shù)據(jù)。本文基于 TDD-LTE測試系統(tǒng)的基帶物理層處理要求，

3、設(shè)計(jì)了以 TI公司的TMS320C6670為核心的串行 Rap idIO互連方案，來解決處理器互連遇到的瓶頸問題。測試結(jié)果驗(yàn)證了該互連方案的可行性和可靠性，當(dāng)采用4×、5Gbps配置時，以發(fā)送256KB數(shù)據(jù)量為例，即使選取DDR3作為收、發(fā)端的存儲器地址，也能實(shí)現(xiàn)10Gbps以上的傳輸速度，因此，串行RapidIO互連方案適用TDD-LTE等新型的無線基站系統(tǒng)。
　　論文分三部分展開，首先介紹了串行 Rap id IO的基礎(chǔ)理論，

4、研究分析了TDD-LTE測試系統(tǒng)的數(shù)據(jù)接口需求，抽象出系統(tǒng)初期簡化的SRIO測試原理圖并給出 SRIO電路模塊的軟件設(shè)計(jì)框圖；隨后針對 TMDXEVM6670L評估板平臺進(jìn)行SRIO模式選型測試，從外圍電路、數(shù)據(jù)量、存儲介質(zhì)等方面研究分析Rap id IO鏈路性能，最終確定將NWrite或SWrite作為TDD-LTE測試系統(tǒng)的傳輸模式；最后基于基帶板AMC2C6670完成SRIO鏈路設(shè)計(jì)、實(shí)現(xiàn)及性能驗(yàn)證測試，測試包括：DSP與主控板間