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文檔簡介
1、晶體振蕩器自上世紀(jì)20年代問世以來，其理論研究與制造水平都得到了飛速發(fā)展，各項(xiàng)性能指標(biāo)顯著提升。作為一種時(shí)鐘頻率源，與其他類型的振蕩器相比，晶體振蕩器以其優(yōu)異的Q值、頻率精度、穩(wěn)定度等，廣泛應(yīng)用于軍工以及民用消費(fèi)電子領(lǐng)域。而在集成電路領(lǐng)域，為了使晶振頻率信號有效、合理地傳輸至芯片核心，IO接口集成電路的作用至關(guān)重要。
本文基于SMIC180nm工藝，30MHz晶體振蕩器，5VIO電壓，3.3V CORE電壓，-40℃～125℃
2、工作溫度范圍，針對高穩(wěn)定性、低功耗、多檔位等方面的要求，研究并改進(jìn)了傳統(tǒng)皮爾斯振蕩器電路，設(shè)計(jì)了一款晶體振蕩器IO接口集成電路，并進(jìn)行了流片驗(yàn)證。研究中涉及的主要電路包括基本放大器電路、接收器電路、驅(qū)動(dòng)電流控制電路、ESD保護(hù)電路、反饋電阻與匹配電容等，通過功能仿真、增益仿真、起振仿真、靜態(tài)電流仿真和DC仿真等驗(yàn)證了所設(shè)計(jì)的晶振IO電路具有良好特性。在此基礎(chǔ)上，進(jìn)行了電路的版圖設(shè)計(jì)和實(shí)現(xiàn)，覆蓋測試、特性測試和ESD測試等測試表明，接收端
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