微芯片塑封過程熱-流-固耦合變形的數(shù)值模擬研究.pdf

1、塑封填充過程中芯片翹曲變形的控制是保障電子芯片品質(zhì)的技術(shù)關(guān)鍵，準(zhǔn)確預(yù)測(cè)和精確控制芯片的熱流固耦合翹曲變形對(duì)于電子芯片品質(zhì)控制顯得尤為重要。而準(zhǔn)確預(yù)測(cè)和精確控制芯片熱流固耦合翹曲變形的理論前提是建立熔體與芯片表面的熱流固耦合作用的理論模型，并揭示其熱流固耦合變形形成機(jī)理，明晰熱流固耦合變形關(guān)鍵調(diào)控參數(shù)。為此本文研究建立了成型過程中熔體與芯片表面的熱流固耦合作用效應(yīng)和耦合變形的有限元數(shù)值模擬虛擬研究平臺(tái)，模擬研究了熔體與芯片表面的熱流固耦合

2、作用效應(yīng)和耦合變形與流變性能參數(shù)、成型工藝參數(shù)和芯片布置的關(guān)聯(lián)理論，揭示了熱流固耦合變形形成機(jī)理，明晰了其關(guān)鍵調(diào)控參數(shù)，為成型過程熱流固耦合變形的控形技術(shù)研發(fā)奠定了理論基礎(chǔ)和技術(shù)支撐。研究取得如下主要成果：
　　研究建立了準(zhǔn)確預(yù)測(cè)成型過程中熔體與芯片表面的熱流固耦合作用效應(yīng)和和耦合變形的有限元數(shù)值模擬虛擬研究平臺(tái)。
　　通過研究建立的有限元數(shù)值模擬虛擬研究平臺(tái)，模擬建立了耦合變形與流變性能參數(shù)、成型工藝參數(shù)和芯片布置的關(guān)聯(lián)理

3、論，揭示了其影響機(jī)理，并明晰了耦合變形的關(guān)鍵調(diào)控參數(shù)。
　　芯片的熱流固耦合變形隨著熔體注射速度、熔體黏度和流變指數(shù)增加而增大，而隨著注射溫度和芯片間距增大而減小，降低熔體注射速度、熔體黏度和流變指數(shù)，或增大注射溫度和芯片間距，有利于減小芯片熱流固耦合變形。
　　提出了芯片熱流固耦合變形受控于成型過程中熔體與芯片表面的熱流固耦合作用效應(yīng)誘發(fā)的沖擊壓力場(chǎng)和不均勻溫度場(chǎng)，熱流固耦合變形主要由流固耦合壓力場(chǎng)誘發(fā)的翹曲變形和不均勻溫