釔鈰及銪摻雜氧化物納米線制備及性能研究.pdf

1、用陽極氧化鋁膜(AAO)的納米陣列孔，作為制備準(zhǔn)一維納米材料的模板。利用負(fù)壓抽濾法，使稀土鹽的溶液和堿溶液，在AAO模板納米孔道內(nèi)發(fā)生化學(xué)共沉積反應(yīng)，反應(yīng)產(chǎn)物經(jīng)加熱分解，得到稀土氧化物納米線陣列結(jié)構(gòu)材料。以SEM、TEM、XRD、EDS和熒光分光光度計(PerkinElmer LS-55)等測試儀器，對納米結(jié)構(gòu)材料的形貌、結(jié)構(gòu)、元素組成及熒光性能進行表征，研究了上述納米結(jié)構(gòu)的生長機理和制備最佳工藝條件，探討了元素?fù)诫s及Eu3+摻雜量對納

2、米線陣列熒光強度的影響。
　　論文的主要研究內(nèi)容和結(jié)果如下:
　　1、利用AAO模板，成功地制備了YCexOy、YCoxOy、Y2O3∶Eu3+、YCexOy∶Eu3+、YCoxOy∶Eu3+納米線陣列材料。研究表明:上述納米陣列材料為非晶態(tài)結(jié)構(gòu)，納米線陣列表觀形貌均一，找出了可控制備納米線陣列時，反應(yīng)物濃度、反應(yīng)時間、抽濾壓力等最佳工藝參數(shù)。
　　2、研究比較了銪摻雜的YxOy∶Eu3+和YCexOy∶Eu3+納米線

3、陣列的熒光性能。在394nm光波長激發(fā)下，Y2O3∶Eu3+和YCexOy∶Eu3+納米線陣列，分別在615nm有強發(fā)射峰，702nm波長處弱發(fā)射峰，其對應(yīng)于Eu3+的5D0-2F2和5D0-7F4能級躍遷。實驗結(jié)果表明:YCexOy∶Eu3+納米線陣列的熒光強度比Y2O3∶Eu3+強得多，說明Ce3+具有明顯的熒光增強效應(yīng)。當(dāng)Eu3+摻雜量的組成比為8％時，YCexOy∶Eu3+納米線陣列熒光強度達(dá)到最大值。
　　3、研究發(fā)現(xiàn):

4、在394nm光波長激發(fā)下，YCoxOy∶Eu3+納米線陣列沒有熒光發(fā)射峰，摻雜Co3+使YxOy∶Eu3+納米線陣列在615nm和702nm波長處的兩個熒光發(fā)射峰消失，發(fā)生了熒光猝滅現(xiàn)象，這里Co3+作為熒光猝滅劑。
　　4、YCexOy∶Eu3+納米線陣列，在紅光區(qū)域的熒光發(fā)射峰，使其在光學(xué)顯示和生物標(biāo)記上有潛在應(yīng)用，以及Ce3+的熒光增強和Co3+熒光猝滅效應(yīng)，有望YCexOy∶Eu3+和YCoxOy∶Eu3+納米線陣列用作生