特種納濾膜處理微蝕刻廢液的研究.pdf

1、隨著印制電路板的大量生產(chǎn)和使用，印制電路板生產(chǎn)過(guò)程中產(chǎn)生的蝕刻廢液也逐年增加。蝕刻廢液中含有銅和酸，有較高的利用價(jià)值。對(duì)于含銅量較高的蝕刻廢液，國(guó)內(nèi)外的的研究較多，也有較為成熟的處理工藝。而對(duì)于含銅量較低的微蝕廢液還沒(méi)有有效的處理方法。
　　 本課題研究的主要內(nèi)容為去除過(guò)硫酸鈉/硫酸和過(guò)氧化氫/硫酸兩種微蝕刻體系廢液中的氧化劑，然后利用特種納濾膜進(jìn)行濃縮分離，使?jié)饪s液中含有較高濃度的銅以利于后續(xù)處理，而透過(guò)液中含有少量銅和部分的

2、酸，可以加入微蝕工藝中循環(huán)利用。為微蝕廢液的處理尋找一條新的有效途徑。
　　 在去除氧化劑實(shí)驗(yàn)中，比較了還原法、吸附法和電解法。根據(jù)實(shí)驗(yàn)結(jié)果，選擇了以銅粉作為還原劑，并用單因素分析法優(yōu)化了兩種體系的操作條件。過(guò)氧化氫/硫酸體系廢液中氧化劑的最佳去除條件為:常溫，酸度[H+]=2.64 mol·L-1，投料比n(Cu)∶n(H2O2)為1.0，反應(yīng)時(shí)間15～20 min，攪拌速度300 r·min-1，此時(shí)氧化劑去除率為97.1％

3、;過(guò)硫酸鈉/硫酸體系廢液中氧化劑的最佳去除條件為:常溫，酸度[吶=1.3 mol·L-1，投料比n(Cu)∶n(Na2S2O8)為1.2，反應(yīng)時(shí)間70 min，攪拌速度300 r·min-1，此時(shí)氧化劑去除率為93.2％。
　　 納濾膜濃縮實(shí)驗(yàn)中，采用單因素法考察了操作壓力、原液流量和濃縮倍數(shù)等因素對(duì)膜性能的影響。通過(guò)綜合比較，選擇美國(guó)哈里遜威斯騰(Harrison Westem Group)公司APE型號(hào)的納濾膜對(duì)微蝕廢液進(jìn)行

4、濃縮分離，該膜對(duì)Cu2+、Na+、H+的平均截留率分別為93％、70％、30％。處理含Cu2+5.9g· L-1，H+0.50mol· L-1的微蝕廢液時(shí)能將原液濃縮5倍，體積減少80％以上，濃縮液中Cu2+提升至21.5 g·L-1，利于后續(xù)的處理。透過(guò)液中H+濃度0.41 mol·L-1，可以加入微蝕工藝中循環(huán)利用。
　　 最后，將膜設(shè)備和電解設(shè)備相結(jié)合，對(duì)電解的同時(shí)利用納濾膜進(jìn)行濃縮分離以維持電解效率的工藝進(jìn)行了實(shí)驗(yàn)，結(jié)果