脈沖激光沉積氮化碳薄膜及其生長機(jī)理研究.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、該工作利用等離子體輔助的脈沖激光沉積技術(shù)在Si襯底上生長氮化碳薄膜.通過掃描電子顯微鏡(SEM)、X射線衍射(XRD)、X射線光電子譜(XPS)、俄歇電子能譜(AES)等多種技術(shù)手段,對(duì)薄膜的形貌、成分、晶體結(jié)構(gòu)、價(jià)鍵狀態(tài)等特性進(jìn)行了分析和確定.研究了幾種工藝參數(shù)如襯底溫度、工作氣壓、電流密度、激光能量等對(duì)薄膜生長的影響,初步討論了氮化碳薄膜的生長機(jī)理.沉積反應(yīng)的動(dòng)力學(xué)條件變化導(dǎo)致合成的氮化碳薄膜在高低不同氣壓下表現(xiàn)出不同特性:低氣壓條

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