2023年全國(guó)碩士研究生考試考研英語(yǔ)一試題真題（含答案詳解+作文范文）_第1頁(yè)
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文檔簡(jiǎn)介

1、本文對(duì)離子注入釩形成半絕緣碳化硅的機(jī)理、方法和工藝進(jìn)行了深入的研究.首先對(duì)碳化硅材料中的深能級(jí)進(jìn)行了仔細(xì)研究,發(fā)現(xiàn)釩在碳化硅帶隙中引入位于帶隙中央附近的深施主能級(jí)和深受主能級(jí),為補(bǔ)償形成半絕緣碳化硅材料奠基了良好的理論基礎(chǔ).討論了形成半絕緣碳化硅材料的機(jī)理和工藝方法.釩替代硅的位置,在不同導(dǎo)電類(lèi)型的碳化硅材料中產(chǎn)生深施主能級(jí)或是深受主能級(jí),束縛剩余的自由載流子,完成補(bǔ)償作用.理論分析了離子注入釩在碳化硅材料中的分布情況.釩離子在靶內(nèi)的濃

2、度近似為高斯分布.高溫注入可減少對(duì)靶材料的損傷.高溫退火對(duì)釩離子的再分布沒(méi)有顯著影響,但可以起到激活釩離子電特性、提高補(bǔ)償率的作用.分別采用高能和低能注入進(jìn)行了實(shí)驗(yàn)研究.p型SiC的釩注入形成電阻率極高、載流子遷移率很小的半絕緣層.n型SiC的釩離子注入,形成較高電阻率的高阻層.高能注入可以形成性能很好的高阻層,但對(duì)材料損傷較大.對(duì)n型SiC進(jìn)行了低能常溫注入,常溫注入和低溫退火對(duì)提高電阻率起到了積極作用.低能注入形成的高阻層深度較小,

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