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文檔簡介
1、功能氧化物由于其廣泛的性質:鐵磁性,鐵電性,壓電性,熱電性,超導性和非線性光學效應而引起了相當大的研究關注。Ⅲ-Ⅴ族半導體襯底由于其良好的光電子和高移動性的傳輸性質而具有特殊應用意義。將功能氧化物集成在Ⅲ-Ⅴ半導體襯底上是當下研究熱點,高載流子遷移率的STO/GaAs界面是其中典型的代表。
鋁酸鑭(LaAlO3)與鈦酸鍶(SrTiO3)同屬于鈣鈦礦型氧化物,晶格大小非常接近?;阡X酸鑭與鈦酸鍶的晶格關系,本文圍繞鋁酸鑭/砷化鎵
2、(LAO/GaAs)異質界面的電學性能研究展開,主要完成了了以下工作:
1.利用脈沖激光沉積(PLD)設備,以GaAs(100)為基片,LAO為靶材制備出了高質量的LAO/GaAs薄膜樣品。
2.對LAO/GaAs樣品進行XRD表征,確認LAO的生長晶向為預期的GaAs對角線方向。
3.對LAO/GaAs界面電輸運特性進行變溫霍爾測試,得出LAO/GaAs界面有較高的空穴型載流子遷移率。
4.引入
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