基于AAO法的Au納米復(fù)合結(jié)構(gòu)制備與紅外性能分析.pdf

1、近年來，使用模板法制備納米復(fù)合結(jié)構(gòu)已成為研究熱點(diǎn)，尺寸可調(diào)且周期有序的AAO模板為制備納米結(jié)構(gòu)帶來了極大便利，在紅外吸波領(lǐng)域，可以實(shí)現(xiàn)易于制備的紅外吸波結(jié)構(gòu)。本文以基于AAO的金納米復(fù)合結(jié)構(gòu)制備與紅外性能分析為研究課題，重點(diǎn)研究了AAO模板制備與其電化學(xué)沉積方法、金納米復(fù)合結(jié)構(gòu)制備與其紅外性能分析、金納米陣列結(jié)構(gòu)制備與其紅外性能分析等。
　　（1）對(duì)模板的制備與 Au納米陣列電化學(xué)沉積方法進(jìn)行了研究——使用二次陽(yáng)極氧化法制備孔徑寬

2、度為60nm的單通AAO模板；利用階梯減壓工藝減薄單通AAO模板的阻擋層，使其滿足電化學(xué)沉積所需要的電導(dǎo)通特性；探究擴(kuò)孔工藝，控制磷酸處理時(shí)間，制備出孔徑寬度為60-90nm的AAO模板；研究AAO模板的電化學(xué)沉積工藝，通過實(shí)驗(yàn)對(duì)比選擇出最適合制備金納米復(fù)合結(jié)構(gòu)的電化學(xué)沉積方法和沉積條件。
　　（2）在均勻納米陣列的基礎(chǔ)上，通過改變模板尺寸、沉積工藝等條件制備出不同結(jié)構(gòu)的納米復(fù)合陣列，包括均勻納米復(fù)合結(jié)構(gòu)、階梯納米復(fù)合結(jié)構(gòu)、雙層納

3、米復(fù)合結(jié)構(gòu)。通過對(duì)納米復(fù)合陣列的紅外特性分析，本文發(fā)現(xiàn)均勻納米復(fù)合結(jié)構(gòu)具有單峰紅外吸收特性，吸收峰位受納米結(jié)構(gòu)長(zhǎng)度控制；階梯納米復(fù)合結(jié)構(gòu)具有寬頻紅外吸收特性，吸收峰寬度受納米結(jié)構(gòu)長(zhǎng)度控制；雙層結(jié)構(gòu)具有雙峰紅外吸收特性，吸收峰位由納米頭結(jié)構(gòu)尺寸決定。
　　（3）對(duì)制備出的多種納米復(fù)合結(jié)構(gòu)進(jìn)行去AAO工藝處理，得到三種金納米陣列結(jié)構(gòu)，包括分立結(jié)構(gòu)、簇狀結(jié)構(gòu)、雙層結(jié)構(gòu)。分立結(jié)構(gòu)具有吸收強(qiáng)度受納米陣列長(zhǎng)度控制的雙峰性能，簇狀結(jié)構(gòu)與雙層結(jié)構(gòu)