基于相變存儲器的平行架構(gòu)混合內(nèi)存性能優(yōu)化研究.pdf

1、在計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中，內(nèi)存系統(tǒng)是制約其性能提升的瓶頸之一，而且，現(xiàn)有內(nèi)存系統(tǒng)的空閑功耗問題也越來越突出。現(xiàn)在的系統(tǒng)設(shè)計(jì)、計(jì)算機(jī)應(yīng)用以及計(jì)算技術(shù)的發(fā)展趨勢需要內(nèi)存有大容量、高帶寬、低延遲以及低功耗，現(xiàn)有的內(nèi)存技術(shù)正面臨著重大的挑戰(zhàn)。以PCM（Phase Change Memory）為代表的非易失存儲器的出現(xiàn)給內(nèi)存技術(shù)的發(fā)展帶來了契機(jī)。PCM有著大容量和無刷新功耗的特點(diǎn)，將 PCM加入到內(nèi)存系統(tǒng)中，不僅提升了內(nèi)存系統(tǒng)的容量，而且降低了內(nèi)存系統(tǒng)功耗

2、。
　　針對現(xiàn)有基于混合內(nèi)存頁面置換算法的遷移策略會導(dǎo)致內(nèi)存命中率下降的問題，提出了MQ-LRU算法。MQ-LRU算法通過使用交換遷移的策略，避免了在遷移過程中淘汰頁面導(dǎo)致內(nèi)存命中率降低。MQ-LRU算法使用多隊(duì)列對頁面寫傾向進(jìn)行評估，將PCM中的寫傾向明顯的頁面與DRAM中寫傾向不明顯的頁面進(jìn)行交換以達(dá)到減少PCM上寫操作的目的。
　　平行架構(gòu)混合內(nèi)存中，由于PCM寫性能的不足，導(dǎo)致大量直接作用在PCM上的寫訪問影響了混合