高溫脅迫對菊花莖葉電阻抗圖譜參數(shù)及葉綠素?zé)晒馓匦缘挠绊?pdf

1、本研究以白色切花菊品種‘神馬’(Dendranthemagrandiflora‘Jinba’)為試材,在高溫條件下脅迫處理,從菊花對高溫脅迫的電阻抗圖譜參數(shù)、葉綠素?zé)晒鈩恿W(xué)參數(shù)變化及菊花葉片過氧化防御系統(tǒng)對高溫脅迫的響應(yīng)等方面進(jìn)行研究,主要研究結(jié)果如下:
　　 1、本試驗研究了高溫脅迫對電阻抗圖譜參數(shù)的影響,結(jié)果顯示,菊花莖段胞外電阻在25～40℃范圍內(nèi)變化不明顯,在45℃時顯著上升,超過45℃后急劇減小,胞內(nèi)電阻在25～45

2、℃范圍內(nèi)隨溫度的升高呈現(xiàn)不規(guī)則上升,45℃后極顯著減小;葉片胞外電阻變化趨勢為在30℃時顯著上升,后變化不明顯但胞外電阻值仍然高于25℃,到45℃后急劇下降,胞內(nèi)電阻隨著脅迫溫度的升高,呈現(xiàn)先上升后下降的趨勢。莖葉的弛豫時間均隨著溫度的升高呈現(xiàn)不規(guī)則的增加-減小-增加-減小的趨勢。弛豫時間分配系數(shù)變化幅度較小,莖段的變化幅度大于葉片。由此可見,電阻抗圖譜參數(shù)的變化與細(xì)胞的生理結(jié)構(gòu)有著緊密的聯(lián)系。
　　 2、菊花在高溫脅迫下,隨著

3、溫度的升高,葉片的電導(dǎo)率、脯氨酸含量和MDA含量呈升高-降低-升高的趨勢,SOD活性、可溶性蛋白含量呈現(xiàn)下降-上升-下降的趨勢,而POD活性變化不大。說明升溫初期菊花通過自身調(diào)節(jié)可以減小高溫脅迫造成的傷害,但隨著脅迫溫度不斷升高,這種能力逐漸減小。
　　 3.高溫脅迫下菊花莖段相對電導(dǎo)率變化與胞外電阻呈極顯著的負(fù)相關(guān),弛豫時間之間呈顯著的負(fù)相關(guān)(r=0.94,0.92);而葉片相對電導(dǎo)率變化與胞內(nèi)電阻、胞外電阻、弛豫時間之間呈顯

4、著的負(fù)相關(guān)(r=0.89,0.88,0.89)。菊花葉片的脯氨酸含量與胞外電阻和弛豫時間之間有極顯著負(fù)相關(guān)性(r=0.98,0.99),與胞內(nèi)電阻為顯著負(fù)相關(guān)(r=0.94)。菊花葉片SOD的活性與EIS參數(shù)之間沒有明顯的相關(guān)性;POD的活性與胞外電阻、胞內(nèi)電阻之間呈現(xiàn)顯著的負(fù)相關(guān)性(r=0.96,0.93),與弛豫時間達(dá)到極顯著水平(r=0.98)。菊花葉片MDA含量與胞外電阻、胞內(nèi)電阻、弛豫時間之間呈現(xiàn)顯著的負(fù)相關(guān)性(r=0.96,

5、0.95,0.94)。菊花葉片中可溶性蛋白含量與EIS參數(shù)之間均沒顯著的相關(guān)性。綜上胞外電阻和弛豫時間是適合測定菊花耐熱性EIS參數(shù),其中胞外電阻是最適合的參數(shù),說明與其他電阻抗圖譜參數(shù)相比,胞外電阻能更好地指示樣品的耐熱性。
　　 4.隨著溫度升高,菊花葉片的葉綠素?zé)晒鈪?shù)Fo,qN,Y(NPQ),Y(NO)呈現(xiàn)不規(guī)則上升的趨勢;qP,Fv/Fm,ΦPSⅡ和ETR值呈現(xiàn)不規(guī)則下降趨勢。高溫下葉綠素?zé)晒獾淖兓f明了菊花的光系統(tǒng)在